[發明專利]西雙紫薇的組織培養方法在審
| 申請號: | 201711348385.0 | 申請日: | 2017-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN107980633A | 公開(公告)日: | 2018-05-04 |
| 發明(設計)人: | 王國來 | 申請(專利權)人: | 合肥欣和園苗木有限公司 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙)11411 | 代理人: | 鄭自群 |
| 地址: | 230012 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 紫薇 組織培養 方法 | ||
技術領域
本發明屬于植物組培技術領域,具體涉及一種西雙紫薇的組織培養方法。
背景技術
西雙紫薇,拉丁文名:Lagerstroemia venusta Wall.ex Clarke.千屈菜科、紫薇屬喬木,高可達8米;枝無毛或被灰白色柔毛,干燥時灰褐色。葉對生或近對生,紙質,矩圓形或矩圓狀橢圓形,頂端鈍形,稀近圓形,基部近圓形,兩側常不等,兩面無毛,或幼嫩時在下面脈上有小柔毛,雄蕊多數,其余的近相等;子房無毛,球形,花柱長而纖細,柱頭頭狀。蒴果近球形至倒卵形,宿存萼杯狀;花期10月,果期11-12月。
由于西雙紫薇移栽到中國中部時,觀賞效果很好,但是成活率很低。組織培養技術是一種常見的植物快繁手段,對于在自然條件下繁殖困難的種類大多可以通過組培的手段實現快繁,從而使種質保存及生產推廣成為可能。
發明內容
本發明提出一種西雙紫薇的組織培養方法,該組織培養方法打破了季節與氣候的限制,繁殖周期縮短,再生植株成活率得到提高,成活率能夠達到95%以上。
本發明的技術方案是這樣實現的:
一種西雙紫薇的組織培養方法,包括以下步驟:
1)接種枝條的消毒滅菌:選取西雙紫薇當年生嫩枝條,進行消毒,消毒后的嫩枝接種至誘芽培養基上;
2)接種培養:將選取的外植體切成1~2厘米的小段接種在配置好的接種培養基上,培養25~30天;
3)繼代培養:把切下叢生芽接種繼代培養基中進行培養,在溫度23~27℃,光照強度2200~2800lux,每日光照10~12小時,至28~32天,小芽基部形成愈傷組織,并形成叢生芽,叢生小芽達到1~2cm;
4)生根培養:當小苗長至2~3㎝時,轉移到生根培養基上培養,溫度控制在25~28℃,光照強度為1200~1500lux,每日光照10~12小時經20~25天;
5)煉苗和移栽:西雙紫薇組培苗煉苗,先在溫度20~25℃之間的溫室內擰松瓶蓋放置2~4天,然后進行溫床過渡移栽,過渡溫床建在普通單體的塑料大棚內,移栽的過程中盡量減少傷根,先噴灑多菌靈溶液,然后對根進行用營養液進行噴霧處理,控制溫度在20~30度,過渡移栽48~52天,上盆移栽;
其中,所述接種培養培養基的組分為:MS基本培養基+1.5mg/L2,4—D+0.3mg/LNAA+32~38g/L蔗糖+6.5~7.5g/L瓊脂+3.2~3.6g/L碳粉;所述繼代培養基的組分為:MS基本培養基+0.5mg/L 2,4—D+0.4mg/L NAA+0.2mg/L 6—BA+32~38g/L蔗糖+6.5~7.5g/L瓊脂+3.2~3.6g/L碳粉+150~200g/L土豆。
優選地,所述生根培養基的組分為:1/3重量含量的MS基本培養基+0.8mg/L NAA+0.2mg/L IBA+0.25mg/L6—BA+0.3wt%活性炭+22~28g/L蔗糖。
優選地,所述接種培養基的pH值為5.4~5.6,所述繼代培養基的pH值為5.5~5.7,所述生根培養基的pH值為5.5~5.7。
優選地,所述營養液的組分為:0.1~0.12wt%NAA、0.15~0.2wt%多效唑、0.03~0.06wt%甘氨酸、0.2~0.3wt%維生素B及0.18~0.36wt%氯化膽堿,余量為水。
優選地,所述步驟1)西雙紫薇嫩枝條的消毒方法為:將嫩枝條用漂白粉浸泡5~10分鐘后,流水沖洗20~30分鐘,在超凈工作臺上以75%酒精浸泡2~3分鐘,取出后用預先準備好的無菌水沖洗4~5遍,瀝干水后即可。
本發明的有益效果:
本發明的方法使西雙紫薇的繁殖更為容易,打破了季節與氣候的限制,繁殖周期縮短,再生植株成活率得到提高,成活率能夠達到95%以上。
具體實施方式
實施例1
一種西雙紫薇的組織培養方法,包括以下步驟:
1)接種枝條的消毒滅菌:選取西雙紫薇當年生嫩枝條,將嫩枝條用漂白粉浸泡5分鐘后,流水沖洗20分鐘,在超凈工作臺上以75%酒精浸泡2分鐘,取出后用預先準備好的無菌水沖洗5遍,瀝干水,消毒后的嫩枝接種至誘芽培養基上;
2)接種培養:將選取的外植體切成1厘米的小段接種在配置好的接種培養基上,培養25天;
3)繼代培養:把切下叢生芽接種繼代培養基中進行培養,在溫度23~27℃,光照強度2500lux,每日光照10小時,至30天,小芽基部形成愈傷組織,并形成叢生芽,叢生小芽達到1~2cm;
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