[發明專利]晶閘管和用于制造晶閘管的方法

在審

• 申請號: 201711347764.8
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108206213A
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 伯恩哈德·柯尼希;保羅·施特羅貝爾
• 申請（專利權）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/745
• 分類號: H01L29/745;H01L21/332
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

本發明涉及一種晶閘管和用于制造晶閘管的方法。該晶閘管具有半導體本體，半導體本體具有第一導體類型的第一半導體區，半導體本體具有第二導體類型且與第一半導體區的內側接觸并延伸到半導體本體邊緣的第二半導體區，半導體本體具有在第二半導體區上布置的第一導體類型的第三半導體區和在第三半導體區中布置的第二導體類型的第四半導體區，半導體本體具有第二導體類型且被布置在半導體本體的邊緣區中的第二半導體區上的第五半導體區，第五半導體區的第一外表面構成第二半導體本體主側的區，第五半導體區與半導體本體邊緣平行布置，半導體本體包含第一凹槽，其源自第二半導體本體主側的第一表面，平行于半導體本體邊緣伸展并延伸到第二半導體區。

技術領域

本發明涉及一種晶閘管和用于制造晶閘管的方法。

背景技術

特別是在臺型晶閘管的情況下，通常需要保護半導體本體的邊緣區域，該邊緣區域周圍地包圍晶閘管的半導體本體的有源區，以防止污染，因為污染物粒子在半導體本體的邊緣區域上的存在對晶閘管的電特性產生負面影響。

從DE 10044960A1已知在半導體本體的邊緣區域的表面上布置鈍化層，其保護邊緣區域不受污染和機械影響。由于存在電荷，可以沿著半導體本體的邊緣形成導電的“反型溝道”，從而導致在所述半導體本體的兩個主側上布置的半導體本體的摻雜半導體區之間的導電連接。

發明內容

本發明的一個目的是公開一種具有半導體本體的晶閘管，其中形成導電反型溝道，導致防止或者至少減少在所述半導體本體的主側上布置的半導體本體的摻雜半導體區之間導電連接的形成。

該目的通過具有半導體本體的晶閘管實現，該半導體本體具有：第一半導體本體主側；第二半導體本體主側，該第二半導體本體主側與第一半導體本體主側相反布置；以及半導體本體邊緣，該半導體本體邊緣周圍地包圍半導體本體并連接第一和第二半導體本體主側，其中半導體本體具有第一導體類型的第一半導體區，其中第一半導體區的外側的一個區域構成第一半導體本體主側的第一表面，其中半導體本體具有第二導體類型的第二半導體區，第二半導體區與第一半導體區的與第一半導體區的外側相反布置的第一半導體區的內側接觸并延伸到半導體本體邊緣，其中半導體本體具有在第二半導體區上布置的第一導體類型的第三半導體區和在第三半導體區中布置的第二導體類型的第四半導體區，其中半導體本體具有在半導體本體的邊緣區中的第二半導體區布置上的第二導體類型的第五半導體區，避開第一半導體本體主側的第五半導體區的第一外表面構成第二半導體本體主側的區域，其中第五半導體區與半導體本體邊緣平行布置，其中半導體本體包含第一凹槽，第一凹槽源自于第二半導體本體主側的第一表面，平行于半導體本體邊緣伸展，以及延伸到第二半導體區。

該目的進一步通過一種用于制造晶閘管的方法來實現，該方法包括以下工藝步驟：

a)提供第二導體類型的半導體本體，該半導體本體具有：第一半導體本體主側；第二半導體本體主側，該第二半導體本體主側與第一半導體本體主側相反布置；以及半導體本體邊緣，該半導體本體邊緣周圍地包圍半導體本體并連接第一和第二半導體本體主側，

b)形成第一導體類型的第一半導體區，第一半導體區到達半導體本體并在整個第一半導體本體主側上方延伸，以及形成第一導體類型的第三半導體區，第三半導體區到達半導體本體，布置第二半導體本體主側的在沒有延伸到半導體本體邊緣的中間區上方，

c)形成所述第二導體類型的第四半導體區，第四半導體區到達第三半導體區并且在第二半導體本體主側的中間區的子區上方延伸，以及形成第二導體類型的第五半導體區，第五半導體區到達第二半導體區并且在第二半導體本體主側的邊緣區上方延伸，平行于半導體本體邊緣伸展，