[發明專利]晶閘管和用于制造晶閘管的方法

在審

• 申請號: 201711347764.8
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108206213A
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 伯恩哈德·柯尼希;保羅·施特羅貝爾
• 申請（專利權）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/745
• 分類號: H01L29/745;H01L21/332
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種具有半導體本體的晶閘管(1)，所述半導體本體具有第一半導體本體主側(3)、與所述第一半導體本體主側(3)相反布置的第二半導體本體主側(4)以及半導體本體邊緣(28)，所述半導體本體邊緣(28)周圍地包圍所述半導體本體(2)并且連接所述第一半導體本體主側(3)和所述第二半導體本體主側(4)，其中所述半導體本體(2)具有第一導體類型的第一半導體區(5)，其中所述第一半導體區(5)的外側(10)的一個區域構成所述第一半導體本體主側(3)的第一表面(11)，其中所述半導體本體(2)具有第二導體類型的第二半導體區(6)，所述第二半導體區(6)與所述第一半導體區(5)的內側(13)接觸并且延伸到所述半導體本體邊緣(28)，所述第一半導體區(5)的所述內側(13)與所述第一半導體區(5)的所述外側(10)相反布置，其中所述半導體本體(2)具有在所述第二半導體區(6)上布置的第一導體類型的第三半導體區(7)和在所述第三半導體區(7)中布置的第二導體類型的第四半導體區(8)，其中所述半導體本體(2)具有在所述半導體本體的邊緣區(25)中的所述第二半導體區(6)上布置的第二導體類型的第五半導體區(9)，避開所述第一半導體本體主側(3)的所述第五半導體區(9)的第一外表面(14)構成所述第二半導體本體主側(4)的區域，其中所述第五半導體區(9)與所述半導體本體邊緣(28)平行布置，其中所述半導體本體(2)引入第一凹槽(15)，所述第一凹槽(15)源自于所述第二半導體本體主側(4)的第一表面(16)，平行于所述半導體本體邊緣(28)伸展，并且延伸到所述第二半導體區(6)。

2.根據權利要求1所述的晶閘管，其特征在于，所述第一凹槽(15)的至少部分(15’)被布置在所述第四半導體區(8)與所述第五半導體區(9)之間，其中至少在這些部分(15’)中，所述第一凹槽(15)不伸展到所述半導體本體邊緣(28)。

3.根據權利要求2所述的晶閘管，其特征在于，所述第一凹槽(15)被構造成使得所述第五半導體區(9)具有界定所述第一凹槽(15)的外表面(19)。

4.根據權利要求1所述的晶閘管，其特征在于，所述半導體本體(2)具有第二凹槽(17)，所述第二凹槽(17)源自于所述第一半導體本體主側(3)的所述第一表面(11)并且伸展到所述半導體本體邊緣(28)，平行于所述半導體本體邊緣(28)，并且至少延伸到所述第二半導體區(6)中的所述半導體本體邊緣(28)。

5.根據權利要求4所述的晶閘管，其特征在于，在所述第一半導體本體主側(3)的所述第一表面(11)的法線方向(N)的垂直方向(S)上，所述第一凹槽(15)的內邊緣(B1)被布置為與所述第二凹槽(17)的內邊緣(B2)相比更靠近所述半導體本體(2)的中心(M)。

6.根據權利要求4或5所述的晶閘管，其特征在于，在所述第一半導體本體主側(3)的所述第一表面(11)的法線方向(N)的垂直方向上，第一凹槽邊界線(S1)被布置為與第二凹槽邊界線(S2)相比更靠近所述半導體本體(2)的中心(M)，所述第一凹槽邊界線(S1)與所述第二半導體區(6)和所述第三半導體區(7)之間的邊界在所述第一凹槽(15)上配合，所述第二凹槽邊界線(S2)與所述第一半導體區(5)和所述第二半導體區(6)之間的邊界在所述第二凹槽(17)上配合。

7.根據權利要求1所述的晶閘管，其特征在于，所述第一凹槽(15)伸展到所述半導體本體邊緣(28)，其中所述第一凹槽(15)被構造成使得所述第五半導體區(9)具有界定所述第一凹槽(15)的外表面，其中所述第五半導體區(9)的界定所述第一凹槽(15)的所述外表面由所述第五半導體區(9)的所述第一外表面(14)構成。

8.根據權利要求7所述的晶閘管，其特征在于，所述半導體本體(2)具有第二凹槽(17)，所述第二凹槽(17)源自于所述第一半導體本體主側(3)的所述第一表面(11)，伸展到所述半導體本體邊緣(28)，平行于所述半導體本體邊緣(28)，并且至少延伸到所述第二半導體區(6)中的所述半導體本體邊緣(28)。