[發明專利]量子點轉印方法

有效

• 申請號: 201711347097.3
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN109927431B
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 張滔;向超宇;李樂;辛征航;張東華
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: B41M1/12
• 分類號: B41M1/12
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 官建紅

本發明屬于量子點技術領域，具體涉及一種量子點轉印方法，包括如下步驟：提供印章，所述印章的印面凸起部設置有形變嵌入體，所述形變嵌入體由含有形狀記憶聚合物的材料制成的初始嵌入體經形變處理得到；提供設置在供體基底表面的量子點初始薄膜，將所述初始薄膜轉印到設置有所述形變嵌入體的印章的印面上，形成量子點圖案化膜層；將轉印有所述量子點圖案化薄層的印章與目標基底接觸，且將所述形變嵌入體恢復成所述初始嵌入體，使所述量子點圖案化膜層轉印于目標基底上。本發明減少了最終由于恢復應變不均勻造成的部分圖案殘留，提高了量子點圖案化膜層轉印的完整性，減少了重復利用印章時所需要的外加應力。

技術領域

本發明屬于量子點技術領域，具體涉及一種量子點轉印方法。

背景技術

量子點具有發光顏色易于調節、色彩飽和度高、可溶液加工、穩定性高等諸多優點，因此，量子點發光被視為下一代顯示技術的有力競爭者。在制備量子點薄膜時，旋涂法是最快捷簡便、且成膜質量好的溶液加工方式，但一般只能用于制備單色發光器件，而在制造全彩發光器件時，必須制備出圖案化量子點薄膜。目前，圖案化量子點的方法主要有噴墨打印、轉印等方式。

常規的轉印過程通常是利用粘彈性體印章作為轉移載體，利用動力學控制實現轉印。轉印過程具體包括兩步，第一步是將量子點圖案從供體基底轉印到印章，第二步是將量子點圖案從印章轉印到目標基底。通常第二步的轉印過程完全依賴于量子點薄膜與印章的粘附能小于量子點薄膜與供體基底的粘附能，然而由于兩種界面的粘附功相差不大，接觸面積相同(等同于圖案大小)，最后得到的圖案經常會有缺損、不完整。因此，現有技術有待改進。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的上述不足，提供一種量子點轉印方法，旨在解決現有量子點轉印得到的量子點圖案經常有缺損、不完整的技術問題。

為實現上述發明目的，本發明采用的技術方案如下：

本發明提供一種量子點轉印方法，包括如下步驟：

提供印章，所述印章的印面凸起部設置有形變嵌入體，所述形變嵌入體由含有形狀記憶聚合物的材料制成的初始嵌入體經形變處理得到；

提供設置在供體基底表面的量子點初始薄膜，將所述初始薄膜轉印到設置有所述形變嵌入體的印章的印面上，形成量子點圖案化膜層；

將轉印有所述量子點圖案化薄層的印章與目標基底接觸，且將所述形變嵌入體恢復成所述初始嵌入體，使所述量子點圖案化膜層轉印于目標基底上；

其中，所述初始嵌入體包括第一面板，且所述第一面板在靠近印章印面的一面設有中心臺以及多個間隔設置且以所述中心臺為中心而層層圍繞所述中心臺的圍壁；

所述形變嵌入體包括第二面板，且所述第二面板在靠近印章印面的一面為平面。

本發明提供的量子點轉印方法中，使用了一種含有形狀記憶聚合物的材料制成的嵌入體置入在印章的印面凸起部內，該嵌入體根據形狀記憶聚合物屬性具有兩種形態：初始嵌入體態和形變嵌入體，初始嵌入體有一面設有中心臺以及多個間隔設置且以所述中心臺為中心而層層圍繞所述中心臺的圍壁，初始嵌入體經形變處理后設有圍壁的一面變成平面即得到形變初始嵌入體；最初將形變嵌入體置入在印章內，等轉印得到量子點圖案化薄層、并與目標基底接觸后，再將形變嵌入體恢復成初始嵌入體，在這個恢復過程中，形變嵌入體會慢慢恢復成很多規則的圍壁，與此同時，印章也跟著發生彈性形變，如此，印章印面逐漸與轉印的量子點圖案化薄層的接觸面積逐漸減少，而有規則的圍壁使印章形變區域應變一致，這樣提高了印章表面形變均勻性，減少了最終由于恢復應變不均勻造成的部分圖案殘留，提高了量子點圖案化膜層轉印的完整性，減少了重復利用印章時所需要的外加應力。

附圖說明

圖1為本發明實施例中初始嵌入體的結構示意圖；

圖2為本發明實施例中初始嵌入體形變處理得到形變嵌入體的過程示意圖；