[發(fā)明專利]量子點(diǎn)轉(zhuǎn)印方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711347097.3
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN109927431B
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張?zhí)?/a>;向超宇;李樂;辛征航;張東華
• 申請（專利權(quán)）人: TCL集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): B41M1/12
• 分類號(hào): B41M1/12
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 官建紅

1.一種量子點(diǎn)轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供印章，所述印章的印面凸起部設(shè)置有形變嵌入體，所述形變嵌入體由含有形狀記憶聚合物的材料制成的初始嵌入體經(jīng)形變處理得到；

提供設(shè)置在供體基底表面的量子點(diǎn)初始薄膜，將所述初始薄膜轉(zhuǎn)印到設(shè)置有所述形變嵌入體的印章的印面上，形成量子點(diǎn)圖案化膜層；

將轉(zhuǎn)印有所述量子點(diǎn)圖案化膜層的印章與目標(biāo)基底接觸，且將所述形變嵌入體恢復(fù)成所述初始嵌入體，使所述量子點(diǎn)圖案化膜層轉(zhuǎn)印于目標(biāo)基底上；

其中，所述初始嵌入體包括第一面板，且所述第一面板在靠近印章印面的一面設(shè)有中心臺(tái)以及多個(gè)間隔設(shè)置且以所述中心臺(tái)為中心而層層圍繞所述中心臺(tái)的圍壁；

所述形變嵌入體包括第二面板，且所述第二面板在靠近印章印面的一面為平面。

2.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，在所述印章內(nèi)，所述形變嵌入體的底面到所述印章的印面的距離d與所述印章的印面凸起部的寬度u的比例為：u:d＝(10-20)：1。

3.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述初始嵌入體的制備方法包括：

提供形狀記憶聚合物、固化劑和促進(jìn)劑；

將所述形狀記憶聚合物、所述固化劑和所述促進(jìn)劑混合后，加入到可形成所述初始嵌入體的第一模具中，進(jìn)行固化處理，得所述初始嵌入體。

4.如權(quán)利要求3所述的量子點(diǎn)轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述固化劑選自甲基四氫鄰苯二甲酸酐和/或聚氧化丙烯雙胺；和/或

所述促進(jìn)劑選自癸胺和/或2-乙基-4-甲基咪唑。

5.如權(quán)利要求3所述的量子點(diǎn)轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述形狀記憶聚合物、所述固化劑和所述促進(jìn)劑的摩爾比為4:1:2。

6.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述圍壁的形狀為圓形或正多邊形。

7.如權(quán)利要求1-6任一所述的量子點(diǎn)轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述形狀記憶聚合物為熱致型形狀記憶聚合物，所述熱致型形狀記憶聚合物的玻璃化溫度T_g≤150℃。

8.如權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述熱致型形狀記憶聚合物選自環(huán)氧樹脂、聚氨酯和苯乙烯-丁二烯共聚物中的至少一種。

9.如權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述形變嵌入體由含有形狀記憶聚合物的材料制成的初始嵌入體經(jīng)形變處理得到的步驟包括：

將所述初始嵌入體設(shè)有圍壁的一面朝下、且置入可形成所述形變嵌入體的第二模具中；

加熱至溫度大于所述玻璃化溫度T_g、且小于所述形狀記憶聚合物的粘流溫度，均勻施壓使所述初始嵌入體設(shè)有圍壁的一面變形至平面；

冷卻至溫度小于所述玻璃化溫度T_g，得所述形變嵌入體。

10.如權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，將所述形變嵌入體恢復(fù)成所述初始嵌入體的步驟包括：對所述形變嵌入體加熱處理至溫度大于所述玻璃化溫度T_g、且小于所述形狀記憶聚合物的粘流溫度。