[發明專利]自舉二極管仿真器電路

有效

• 申請號: 201711344011.1
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN108233901B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 陳安邦
• 申請（專利權）人: 科域科技有限公司
• 主分類號: H03K17/06
• 分類號: H03K17/06;H03K17/687
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 潘軍

一種自舉二極管仿真器電路，包括晶體管器件和二極管式器件。晶體管器件被布置在自舉二極管仿真器電路的陰極處。二極管式器件的陰極連接到晶體管器件而二極管式器件的陽極形成所述自舉二極管仿真器電路的陽極。

技術領域

本發明涉及一種自舉二極管仿真器電路。更具體地，但非限制性地，本發明涉及一種自舉二極管仿真器半導體電路。

背景技術

圖1A示出了由STMicroelectronics公司制造的L6390高壓半橋驅動器集成電路的電路圖10。如圖1A所示，電路10包括布置在低壓側電源電壓節點VCC和自舉電源電壓節點BOOT之間的內置自舉二極管12(標記為“自舉驅動器”)，其用于與自舉電容器(未示出)連接。圖1B示出了L6390高壓半橋驅動器集成電路10的一部分與外部自舉二極管D_BOOT和其他外部電子組件的電路連接，其用于實現自舉驅動器。

在圖1B的電路20中，在正常操作期間，能量通過自舉二極管D_BOOT22從具有節點VCC和節點GND的低端電源傳送到位于節點BOOT和節點OUT之間的高端電源去耦電容器C_BOOT24。然而，在一些應用中，優選將自舉二極管集成在半橋驅動器集成電路中以簡化應用電路。通常，這種集成需要具有高反向擊穿電壓的二極管。但是，這種二極管在典型的集成電路工藝技術平臺中通常是不可用的。因此，一種解決方案是使用具有諸如高壓LDMOS器件之類的高壓器件的二極管仿真器電路來仿真二極管的功能。

圖1C示出了L6390高壓半橋驅動器集成電路10的一部分與內置的仿真自舉二極管32和其他外部電子組件的電路連接，其用于實現自舉驅動器。仿真自舉二極管32包括高壓DMOS器件，其被布置成由低端驅動器(LVG)同步驅動并連接有二極管。在圖1C的電路30中，在正常操作期間，能量經由仿真自舉二極管32從具有節點VCC和節點GND的低端電源傳送到位于節點BOOT和節點OUT之間的高端電源去耦電容器C_BOOT34。

圖2示出了另一示例性二極管仿真器電路40。電路40包括高壓LDMOS器件42。器件42的源極端子連接到低壓側電源電壓節點VCC，器件42的漏極端子連接到自舉電源電壓節點BOOT，而器件42的柵極端子連接到低端驅動器。二極管仿真器電路40雖然可被用作自舉二極管，但它會遇到以下的問題：

(1)需要一個內部自舉柵極驅動器電路以使完整(最大)的VCC電壓到達自舉電容器C_BOOT。

(2)仿真二極管只有在低端電路導通時才能導通。

特別地，第二個問題意味著在高壓半橋集成電路能夠進入正常功能模式之前將需要正確的初始化。如果存在具有隔離體的高電壓LDMOS器件，使得主體連接到高電壓LDMOS器件42的源極端子而不是COM，則該問題可以得到解決。然而，問題在于，這樣的裝置在大多數高壓集成電路工藝平臺中并不容易得到。

美國專利US5,666,280和US7,215,189進一步公開了一些現有的自舉二極管仿真器電路。這些電路通常可與半橋驅動器集成電路一起使用。

本發明的一個目的是解決上述需要，克服或基本上改善上述缺點，或者更一般地，提供一種新的或者改進的自舉二極管仿真器電路。

發明內容

根據本發明的第一方面，提供了一種自舉二極管仿真器電路，包括：晶體管器件，被布置在自舉二極管仿真器電路的陰極處；以及二極管式器件，其陰極連接到所述晶體管器件以及其陽極形成所述自舉二極管仿真器電路的陽極。所述自舉二極管仿真器電路的陽極可以連接到低端電源電壓節點VCC而所述自舉二極管仿真器電路的陰極可以連接到自舉電源電壓節點BOOT。

優選地，所述晶體管器件是高壓器件，并且所述二極管式器件是中壓器件。