[發明專利]自舉二極管仿真器電路

有效

• 申請號: 201711344011.1
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN108233901B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 陳安邦
• 申請（專利權）人: 科域科技有限公司
• 主分類號: H03K17/06
• 分類號: H03K17/06;H03K17/687
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 潘軍

1.一種自舉二極管仿真器電路，其具有陽極和陰極并且包括：

晶體管器件，其提供所述自舉二極管仿真器電路的所述陰極，其中所述晶體管器件是具有夾斷電壓的JFET器件，所述JFET器件在低于所述夾斷電壓時被關斷，并且所述JFET器件的所述夾斷電壓的大小大于在所述自舉二極管仿真器電路的陽極處接收的最大電壓；以及

二極管式器件，其包括

陰極，其連接到所述晶體管器件；以及

陽極，其為所述自舉二極管仿真器電路的所述陽極。

2.根據權利要求1所述的自舉二極管仿真器電路，其特征在于，所述JFET器件是高壓器件，并且所述二極管式器件是中壓器件。

3.根據權利要求1所述的自舉二極管仿真器電路，其特征在于，所述自舉二極管仿真器電路的所述陽極接收最小電壓，并且所述二極管式器件具有最小反向擊穿電壓，所述最小反向擊穿電壓的大小大于所述JFET器件的所述夾斷電壓減去在所述自舉二極管仿真器電路的所述陽極處接收的所述最小電壓。

4.根據權利要求3所述的自舉二極管仿真器電路，其特征在于，所述JFET器件包括柵極端子，所述柵極端子接地。

5.根據權利要求3所述的自舉二極管仿真器電路，其特征在于，所述JFET器件包括源極端子，其直接與所述二極管式器件連接。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的自舉二極管仿真器電路，其特征在于，所述二極管式器件包括二極管。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的自舉二極管仿真器電路，其特征在于，所述二極管式器件包括仿真二極管器件。

8.根據權利要求7所述的自舉二極管仿真器電路，其特征在于，所述仿真二極管器件包括半導體開關。

9.根據權利要求7所述的自舉二極管仿真器電路，其特征在于，所述仿真二極管器件包括PMOS器件，其包括漏極端子和源極端子并具有連接在所述漏極端子和所述源極端子之間的體二極管。

10.根據權利要求9所述的自舉二極管仿真器電路，其特征在于，所述PMOS器件包括柵極端子，并且所述PMOS器件的所述柵極端子和所述源極端子彼此直接連接。

11.根據權利要求9所述的自舉二極管仿真器電路，其特征在于，所述PMOS器件包括柵極端子，并且還包括連接在所述PMOS器件的所述柵極端子和所述源極端子之間的電阻器。

12.根據權利要求7所述的自舉二極管仿真器電路，其特征在于，所述仿真二極管器件包括NMOS器件，其包括漏極端子和源極端子并具有連接在所述漏極端子和所述源極端子之間的體二極管。

13.根據權利要求12所述的自舉二極管仿真器電路，其特征在于，所述NMOS器件包括柵極端子，并且所述NMOS器件的所述柵極端子和所述源極端子彼此直接連接。

14.根據權利要求13所述的自舉二極管仿真器電路，其特征在于，還包括連接到所述NMOS器件的柵極端子的柵極控制電路。

15.根據權利要求8所述的自舉二極管仿真器電路，其特征在于，所述半導體開關包括二極管接法晶體管。

16.根據權利要求15所述的自舉二極管仿真器電路，其特征在于，所述二極管接法晶體管包括PNP雙極晶體管，其包括基極端子和集電極端子，所述基極端子和所述集電極端子彼此直接連接。

17.根據權利要求15所述的自舉二極管仿真器電路，其特征在于，所述二極管接法晶體管包括NPN雙極晶體管，其包括基極端子和集電極端子，所述基極端子和所述集電極端子彼此直接連接。