[發明專利]一種集成電路連線可靠性檢測方法及裝置

在審

• 申請號: 201711342530.4
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN109959855A
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 王小樂;江文
• 申請（專利權）人: 炬芯（珠海）科技有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

本申請公開了一種集成電路連線可靠性檢測方法及裝置。該方法包括：確定待檢測信號，以及所述待檢測信號使用的集成電路金屬層；確定所述集成電路金屬層中相關聯的金屬層之間的交疊區中連接層的面積與所述交疊區總面積的比例；根據所述比例以及所述待檢測信號對應的連接層占比閾值，確定所述待檢測信號在所述集成電路中的連線可靠性。

技術領域

本發明涉及通信領域，尤其涉及一種集成電路連線可靠性的檢測方法及裝置。

背景技術

IR壓降(IR-drop)是指出現在集成電路中電源和地網絡上電壓下降或升高的一種現象。隨著半導體工藝的演進金屬互連線的寬度越來越窄，導致它的電阻值上升，所以在整個芯片范圍內將存在一定的IR-drop。IR-drop的大小決定于從電源焊盤(PAD)到所計算的邏輯門單元之間的等效電阻的大小。

系統級芯片(System on a Chip，SoC)設計中的每一個邏輯門單元的電流都會對設計中的其它邏輯門單元造成不同程度的IR-drop。如果連接到金屬連線上的邏輯門單元同時有翻轉動作，那么因此而導致的IR-drop將會很大。然而，設計中的某些部分的同時翻轉又是非常重要的，例如時鐘網絡和它所驅動的寄存器，在一個同步設計中它們必須同時翻轉。因此，一定程度的IR-drop是不可避免的。

IR-drop可能是局部或全局性的。當相鄰位置一定數量的邏輯門單元同時有邏輯翻轉動作時，就引起局部IR-drop現象，當芯片某一區域內的邏輯動作導致其它區域的IR-drop時，稱之為全局現象。

IR-drop可能導致一些時序甚至可能是信號的完整性問題。如果芯片的全局IR-drop過高，則邏輯門就有功能故障，使芯片徹底失效，盡管邏輯仿真顯示設計是正確的。而局部IR-drop比較敏感，它只在一些特定的條件下才可能發生，例如所有的總線數據同步進行翻轉，因此芯片會間歇性的表現出一些功能故障。而IR-drop比較普遍的影響就是降低了芯片的速度。

由此可見，如何基于集成電路版圖，確定IR-drop，以檢測集成電路版圖中連線的可靠性，是目前亟需解決的技術問題。

發明內容

本申請實施例提供一種集成電路連線可靠性檢測方法及裝置，用于確定該集成電路中連線的可靠性。

第一方面，提供一種集成電路連線可靠性檢測方法，該方法包括：

確定待檢測信號，以及所述待檢測信號使用的集成電路金屬層；

確定所述集成電路金屬層中相關聯的金屬層之間的交疊區中連接層的面積與所述交疊區總面積的比例；

根據所述比例以及所述待檢測信號對應的連接層占比閾值，確定所述待檢測信號在所述集成電路中的連線可靠性。

可選地，所述根據所述比例以及所述待檢測信號對應的連接層占比閾值，確定所述待檢測信號在所述集成電路中的連線可靠性，包括：

若所述比例小于或等于所述連接層占比閾值，則確定所述待檢測信號在所述集成電路中的連線可靠性符合要求；

若所述比例大于所述連接層占比閾值，則確定所述待檢測信號在所述集成電路中的連線可靠性不符合要求。

可選地，所述確定所述集成電路金屬層中相關聯的金屬層之間的交疊區中連接層的面積與所述交疊區總面積的比例，包括：

從所述待檢測信號使用的集成電路金屬層中排除被設置為不參與檢測的金屬層；

在排除了不參與檢測的金屬層中，確定相關聯的金屬層之間的交疊區中連接層的面積與所述交疊區總面積的比例。

可選地，所述方法還包括：若所述待檢測信號使用的集成電路金屬層中相關聯的金屬層之間的交疊區中沒有連接層，則輸出用于指示沒有連接層的錯誤提示信息。