[發(fā)明專利]ITO薄膜的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711341683.7 | 申請日： | 2017-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN108048796A | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 崔鴿;洪承健;何永才;董剛強;郁操;徐希翔;李沅民 | 申請（專利權(quán)）人： | 君泰創(chuàng)新（北京）科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京維澳專利代理有限公司 11252 | 代理人： | 周放;解立艷 |
| 地址： | 100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | ito 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種ITO薄膜的制備方法，其特征在于，制備步驟包括：
向工藝腔室中通入水汽、氬氣和氧氣，并通過磁控濺射工藝形成ITO薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO薄膜的制備方法，其特征在于，在制備ITO薄膜的過程中，控制通入水汽的量保持恒定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO薄膜的制備方法，其特征在于，在制備ITO薄膜的過程中，控制通入水汽的量隨時間變化。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的ITO薄膜的制備方法，其特征在于，通入的水汽的量隨時間的增長而遞減。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ITO薄膜的制備方法，其特征在于，通入的水汽的量在預(yù)設(shè)的水汽分壓范圍值內(nèi)遞減。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ITO薄膜的制備方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)的水汽分壓范圍值為6×10
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO薄膜的制備方法，其特征在于，向工藝腔室中通入水汽、氬氣和氧氣具體包括：
向工藝腔室中通入恒定量的氧氣和氬氣，且氧氣的量和氬氣的量之間具有設(shè)定的比例關(guān)系；
向工藝腔室中通入水汽，通入水汽的量隨時間的增長而遞減。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的ITO薄膜的制備方法，其特征在于，氧氣的量和氬氣的量之間的比例大于0且小于等于1/70。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO薄膜的制備方法，其特征在于，用于制備所述ITO薄膜的工藝腔室的真空度為5×10
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
