[發(fā)明專利]ITO薄膜的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711341683.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108048796A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-05-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔鴿;洪承健;何永才;董剛強(qiáng);郁操;徐希翔;李沅民 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 君泰創(chuàng)新(北京)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/08 | 分類號(hào): | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京維澳專利代理有限公司 11252 | 代理人: | 周放;解立艷 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | ito 薄膜 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種ITO薄膜的制備方法,其包括向工藝腔室中通入水汽、氬氣和氧氣;通過(guò)磁控濺射工藝形成ITO薄膜。本發(fā)明提供的ITO薄膜的制備方法,通過(guò)在ITO薄膜制備過(guò)程中引入水汽,提高了ITO薄膜有效透過(guò)率、遷移率等電學(xué)性能和光學(xué)性能,同時(shí)增加了使用該ITO薄膜的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的短路電流,提升了電池的光電轉(zhuǎn)化效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種ITO薄膜的制備方法。
背景技術(shù)
氧化銦錫薄膜(ITO)由于具有低電阻率、高可見(jiàn)光透過(guò)率等優(yōu)良的物理特性,被廣泛應(yīng)用于HJT太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電薄膜層。ITO薄膜的光學(xué)和電學(xué)性能的好壞,直接關(guān)系著HJT太陽(yáng)能電池的短路電流,進(jìn)而影響著電池的轉(zhuǎn)換效率。在現(xiàn)有技術(shù)中,一般通過(guò)磁控濺射的方式制備ITO薄膜,在制備過(guò)程中通常要向工藝腔室中通入氧氣和氬氣,但通過(guò)這種方式沉積出的ITO的短路電流較弱,電池的光電轉(zhuǎn)化效率較低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種ITO薄膜的制備方法,以解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題,提高短路電流,提升電池的光電轉(zhuǎn)化效率。
本發(fā)明提供了一種ITO薄膜的制備方法,其中,制備步驟包括:
向工藝腔室中通入水汽、氬氣和氧氣,并通過(guò)磁控濺射工藝形成ITO薄膜。
如上所述的ITO薄膜的制備方法,其中,優(yōu)選的是,在制備ITO薄膜的過(guò)程中,控制通入水汽的量保持恒定。
如上所述的ITO薄膜的制備方法,其中,優(yōu)選的是,在制備ITO薄膜的過(guò)程中,控制通入水汽的量隨時(shí)間變化。
如上所述的ITO薄膜的制備方法,其中,優(yōu)選的是,通入的水汽的量隨時(shí)間的增長(zhǎng)而遞減。
如上所述的ITO薄膜的制備方法,其中,優(yōu)選的是,通入的水汽的量在預(yù)設(shè)的水汽分壓范圍值內(nèi)遞減。
如上所述的ITO薄膜的制備方法,其中,優(yōu)選的是,所述預(yù)設(shè)的水汽分壓范圍值為6×10
如上所述的ITO薄膜的制備方法,其中,優(yōu)選的是,向工藝腔室中通入水汽、氬氣和氧氣具體包括:
向工藝腔室中通入恒定量的氧氣和氬氣,且氧氣的量和氬氣的量之間具有設(shè)定的比例關(guān)系;
向工藝腔室中通入水汽,通入水汽的量隨時(shí)間的增長(zhǎng)而遞減。
如上所述的ITO薄膜的制備方法,其中,優(yōu)選的是,氧氣的量和氬氣的量之間的比例大于0且小于等于1/70。
如上所述的ITO薄膜的制備方法,其中,優(yōu)選的是,用于制備所述ITO薄膜的工藝腔室的真空度為5×10
本發(fā)明提供的ITO薄膜的制備方法,通過(guò)在ITO薄膜制備過(guò)程中引入水汽,提高了ITO薄膜有效透過(guò)率、遷移率等電學(xué)性能和光學(xué)性能,同時(shí)增加了使用此ITO薄膜的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的短路電流,提升了電池的光電轉(zhuǎn)化效率。
附圖說(shuō)明
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的ITO薄膜的制備方法的流程圖;
圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的ITO薄膜的有效透過(guò)率圖譜;
圖3為水汽分壓隨時(shí)間變化的變化曲線。
具體實(shí)施方式
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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