[發(fā)明專利]硬掩模用組合物

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711340198.8
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN108227386A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設計）人: 崔漢永;梁敦植;梁振錫;樸根永
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;宋海花

本發(fā)明提供一種硬掩模用組合物，該硬掩模用組合物包含下述化學式1所表示聚合物和溶劑，下述化學式1所表示聚合物包含含有芘系單元和咔唑系單元中的至少一種的第一單元、以及含有甲苯基或聯(lián)苯基的第二單元。由該硬掩模用組合物能夠形成耐蝕刻性、溶解性和平坦性同時提高的硬掩模。化學式1中，Ar₁表示所述第一單元，Ar₂表示所述第二單元，n為2～100的整數(shù)。化學式1

技術領域

本發(fā)明涉及硬掩模用組合物。更詳細而言，本發(fā)明涉及包含芳香族縮合物或化合物的硬掩模用組合物。

背景技術

例如，在半導體制造、微電子等領域中，電路、配線、絕緣圖案之類的結構物的集成度正在持續(xù)增大。因此，用于上述結構物的微細圖案化的光刻工序也被一同開發(fā)。

一般而言，在蝕刻對象膜上涂布光致抗蝕劑而形成光致抗蝕劑層，通過曝光及顯影工序而形成光致抗蝕劑圖案。接著，將上述光致抗蝕劑圖案用作蝕刻掩模，將上述蝕刻對象膜部分地去除，從而能夠形成預定的圖案。在進行對于上述蝕刻對象膜的圖像轉印后，上述光致抗蝕劑圖案可以通過灰化(ashing)和/或剝離(strip)工序而被去除。

為了抑制上述曝光工序中由光反射引起的分辨率降低，可以在上述蝕刻對象膜和上述光致抗蝕劑層之間形成防反射涂布(anti-refractive coating；ARC)層。該情況下，會追加對于上述ARC層的蝕刻，因此上述光致抗蝕劑層或光致抗蝕劑圖案的消耗量或蝕刻量會增加。此外，上述蝕刻對象膜的厚度增加或形成期望的圖案時所需的蝕刻量增大的情況下，可能無法確保所要求的上述光致抗蝕劑層或光致抗蝕劑圖案的充分的耐蝕刻性。

因此，為了確保用于形成期望的圖案的光致抗蝕劑的耐蝕刻性和蝕刻選擇比，可以在上述蝕刻對象膜和上述光致抗蝕劑層之間追加抗蝕劑下部膜。

上述抗蝕劑下部膜例如有必要具有對于高溫蝕刻工序的充分的耐蝕刻性、耐熱性，此外例如，有必要通過旋涂工序以均勻的厚度形成。

韓國公開專利第10-2010-0082844號公開了抗蝕劑下部膜形成組合物的一例。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

韓國公開專利第10-2010-0082844號

發(fā)明內容

所要解決的課題

本發(fā)明的一課題在于提供可以形成具有優(yōu)異的機械、化學特性且具有均勻的輪廓的硬掩模的硬掩模用組合物。

解決課題的方法

1.一種硬掩模用組合物，其包含下述化學式1所表示的聚合物和溶劑，該化學式1所表示的聚合物包含含有芘系單元和咔唑系單元中的至少一種的第一單元、以及含有甲苯基或聯(lián)苯基的第二單元，

[化學式1]

(化學式1中，Ar₁表示上述第一單元，Ar₂表示上述第二單元，n為2～100的整數(shù))。

2.如1所述的硬掩模用組合物，上述第一單元來源于選自下述化學式2和化學式3中的至少一種的芳香族化合物，

[化學式2]

[化學式3]

(化學式3中，Ar為碳原子數(shù)6～12的芳香族烴基)。

3.如2所述的硬掩模用組合物，上述化學式3所表示的化合物包含下述化學式3-1～3-3所表示的化合物中的至少一種，

[化學式3-1]