[發(fā)明專利]半導(dǎo)體襯底及具有半導(dǎo)體襯底的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711337277.3 | 申請(qǐng)日： | 2015-03-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107994002B | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-11-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 廖國(guó)成;陳家慶;丁一權(quán) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/488 | 分類號(hào)： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣高雄市楠梓*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 襯底 具有 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括：
襯底，其包括：
絕緣層，其具有頂表面；
導(dǎo)電電路層，其從所述絕緣層的所述頂表面凹入，其中所述導(dǎo)電電路層包括至少一個(gè)襯墊；以及
導(dǎo)電凸塊，其安置在所述至少一個(gè)襯墊上；
半導(dǎo)體芯片；以及
導(dǎo)電材料，其電連接所述導(dǎo)電凸塊與所述半導(dǎo)體芯片；
其中所述導(dǎo)電凸塊包括主要部分及突起部分，所述突起部分安置在所述至少一個(gè)襯墊上方，所述襯墊的至少一部分自所述絕緣層外露，所述突起部分與所述至少一個(gè)襯墊是一體地形成，所述突起部分未突出于所述絕緣層的頂表面，且所述突起部分與所述絕緣層的頂表面共平面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電凸塊的寬度與所述至少一個(gè)襯墊的寬度的比率為0.5至0.8之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電凸塊安置在所述至少一個(gè)襯墊的圓周內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電凸塊覆蓋所述絕緣層的一部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電凸塊更包括金屬層部分，安置在所述主要部分與所述突起部分之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述襯墊側(cè)壁表面在所述絕緣層的側(cè)壁表面上延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電凸塊的寬度小于所述至少一個(gè)襯墊的寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述至少一個(gè)襯墊具有幾何中心軸線，所述導(dǎo)電凸塊的主要部分具有幾何中心軸線，且在所述至少一個(gè)襯墊的所述幾何中心軸線與所述導(dǎo)電凸塊的主要部分的所述幾何中心軸線之間存在偏移。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電凸塊的側(cè)表面、所述至少一個(gè)襯墊的頂表面及所述絕緣層的側(cè)表面一起界定容置空間，且所述導(dǎo)電材料的一部分安置在所述容置空間中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述容置空間的寬度大于所述導(dǎo)電凸塊的寬度與所述至少一個(gè)襯墊的寬度之間的差。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述襯底更包括：
至少一個(gè)導(dǎo)電通孔，其延伸穿過(guò)所述絕緣層，且電連接到所述導(dǎo)電電路層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，更包括：
一金屬間化合物層，其安置在所述導(dǎo)電凸塊與所述導(dǎo)電材料之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，更包括：
一金屬間化合物層，其覆蓋所述導(dǎo)電凸塊。
14.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括：
襯底，其包括：
絕緣層，其具有頂表面；
導(dǎo)電電路層，其從所述絕緣層的所述頂表面凹入，其中所述導(dǎo)電電路層包括至少一個(gè)襯墊；以及
導(dǎo)電凸塊，其包括主要部分及突起部分，所述突起部分安置在所述至少一個(gè)襯墊上，其中所述突起部分的側(cè)表面、所述至少一個(gè)襯墊的頂表面及所述絕緣層的側(cè)表面一起界定容置空間，所述突起部分與所述至少一個(gè)襯墊是一體地形成，所述突起部分未突出于所述絕緣層的頂表面，且所述突起部分與所述絕緣層的頂表面共平面；
半導(dǎo)體芯片；以及
導(dǎo)電材料，其電連接所述導(dǎo)電凸塊與所述半導(dǎo)體芯片；
其中所述導(dǎo)電材料的一部分安置在所述容置空間中。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電凸塊的寬度小于所述至少一個(gè)襯墊的寬度。
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