[發明專利]基板處理方法

有效

• 申請號: 201711336976.6
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN108231658B
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 森數洋司;卡爾·海因茨·普利瓦西爾;服部奈緒
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/76
• 分類號: H01L21/76;H01L21/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;楊薇

基板處理方法。本發明涉及一種處理基板(2)的方法，基板具有上面形成至少一條分割線(22)的第一表面(2a)和與第一表面(2a)相反的第二表面(2b)。方法包括從第一表面(2a)一側向基板(2)施加脈沖激光束(LB)。基板(2)由對脈沖激光束(LB)透明的材料制成。在脈沖激光束(LB)的焦點(P)位于在從第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向上離第一表面(2a)一距離處的情況下，脈沖激光束(LB)至少在沿著至少一條分割線(22)的多個位置處被施加到基板，以在基板(2)內形成多個改性區域(23)。該方法進一步包括沿著存在完全布置在基板(2)的本體內的改性區域(23)的至少一條分割線(22)去除基板材料。

技術領域

本發明涉及一種處理基板的方法，所述基板具有上面形成至少一條分割線的第一表面和與第一表面相反的第二表面。

背景技術

在光學器件制造處理中，例如由n型氮化物半導體層和p型氮化物半導體層組成的光學器件層形成在諸如藍寶石基板、碳化硅(SiC)基板或氮化鎵(GaN)基板的單晶基板的正面上。通過交叉分割線(也稱為“街道”)來劃分光學器件層，以限定其中分別形成諸如發光二極管(LED)和激光二極管的光學器件的分離區域。通過在單晶基板的正面上提供光學器件層，形成光學器件晶片。光學器件晶片沿著分割線被分開(例如，切割)，以分割形成有光學器件的分離區域，由此獲得作為芯片或裸芯片的單獨光學器件。

作為沿著分割線劃分晶片(諸如光學器件晶片)的方法，提出了一種激光處理方法，該激光處理方法在具有允許光束透過晶片的波長的脈沖激光束的焦點在要被分割的對象區域中位于晶片內部的情況下，沿著分割線將該脈沖激光束施加至晶片。以此方式，具有降低強度的改性層沿著每條分割線連續地形成在晶片內部。隨后，通過使用斷開工具(breaking tool)沿著每條分割線向晶片施加外力，由此將晶片分割成單獨光學器件。在JP-A-3408805中公開了這種方法。

作為沿著分割線分割晶片(諸如光學器件晶片)的另一種方法，已經提出了在脈沖激光束的焦點在朝向晶片的背面的方向上位于離晶片的正面一距離處的情況下，向晶片施加該光束，以在單晶基板中創建多個孔區域。每個孔區域由非晶區域和通向晶片的正面的非晶區域中的空間構成。隨后，通過使用斷開工具沿著每條分割線向晶片施加外力，從而將晶片分成單獨光學器件。

然而，當在上述分割方法中使用斷開工具向晶片施加外力時，可能發生所得到的芯片或裸芯片相對于彼此的移位。這種裸芯片移位不僅使得拾取芯片或裸芯片的處理更加復雜，而且還導致損壞芯片或裸芯片的風險，例如，如果它們的側表面由于移位而彼此接觸。

此外，通過使用斷開工具施加外力，各個芯片或裸芯片可能不能適當地彼此分離。首先，兩個或更多個芯片或裸芯片在斷開處理之后可能仍然至少部分地彼此連接，從而在裸芯片分離之后必須檢查晶片。另一方面，在分離之后所得到的芯片或裸芯片的外形(即其側表面的形狀)不能以高精度被控制。

上述問題對于難以處理的透明晶體材料特別顯著，諸如硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、砷化銦(InAs)、磷化銦(InP)、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、鉭酸鋰(LT)、鈮酸鋰(LN)、藍寶石(Al₂O₃)、氮化鋁(AlN)、氧化硅(SiO₂)等。

因此，仍然需要一種處理基板的方法，其允許以精確、可靠和有效的方式處理基板。

發明內容

因此，本發明的目的是提供一種處理基板的方法，其允許以準確、可靠和有效的方式處理基板。該目標通過具有權利要求1的技術特征的基板處理方法來實現。本發明的優選實施方式遵循從屬權利要求。