[發明專利]基板處理方法有效
| 申請號: | 201711336976.6 | 申請日: | 2017-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN108231658B | 公開(公告)日: | 2022-01-11 |
| 發明(設計)人: | 森數洋司;卡爾·海因茨·普利瓦西爾;服部奈緒 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/76 | 分類號: | H01L21/76;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;楊薇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 方法 | ||
1.一種處理基板(2)的方法,所述基板具有其上形成至少一條分割線(22)的第一表面(2a)和與所述第一表面(2a)相反的第二表面(2b),所述方法包括:
從所述第一表面(2a)一側向所述基板(2)施加脈沖激光束(LB),其中,所述基板(2)由對所述脈沖激光束(LB)透明的材料制成,并且在所述脈沖激光束(LB)的焦點(P)位于在從所述第一表面(2a)朝向所述第二表面(2b)的方向上離所述第一表面(2a)一距離的情況下,至少在沿著所述至少一條分割線(22)的多個位置處將所述脈沖激光束(LB)施加到所述基板(2),以沿著所述至少一條分割線在所述基板(2)內部形成多個改性區域(23),所述多個改性區域形成在所述基板內部使得相鄰的改性區域在所述至少一條分割線的延伸方向上彼此不重疊,每個改性區域(23)完全布置在所述基板(2)的本體內,而不形成通向所述第一表面(2a)或所述第二表面(2b)的任何開口;以及
沿著存在完全布置在所述基板(2)的所述本體內的所述改性區域(23)的所述至少一條分割線(22)去除基板材料。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,所述基板(2)是單晶基板或玻璃基板或化合物基板。
3.根據權利要求1或2所述的方法,其中,所述改性區域(23)包括非晶區域或形成有裂紋的區域,或者所述改性區域(23)是非晶區域或形成有裂紋的區域。
4.根據權利要求1或2所述的方法,其中,通過沿著存在完全布置在所述基板(2)的所述本體內的所述改性區域(23)的所述至少一條分割線(22)切割所述基板(2)來去除所述基板材料。
5.根據權利要求1或2所述的方法,其中,沿著存在完全布置在所述基板(2)的所述本體內的所述改性區域(23)的所述至少一條分割線(22)機械地去除所述基板材料。
6.根據權利要求5所述的方法,其中,通過沿著存在完全布置在所述基板(2)的所述本體內的所述改性區域(23)的所述至少一條分割線(22)機械地切割所述基板(2),沿著存在完全布置在所述基板(2)的所述本體內的所述改性區域(23)的所述至少一條分割線(22)機械地去除所述基板材料。
7.根據權利要求1或2所述的方法,所述方法還包括:研磨所述基板(2)的所述第二表面(2b)以調整基板厚度。
8.根據權利要求7所述的方法,其中,在沿著存在完全布置在所述基板(2)的所述本體內的所述改性區域(23)的所述至少一條分割線(22)去除所述基板材料之后,執行研磨所述基板(2)的所述第二表面(2b)的步驟。
9.根據權利要求8所述的方法,其中
沿著所述基板(2)的在從所述第一表面(2a)朝向所述第二表面(2b)的方向上的厚度的僅一部分去除所述基板材料,以及
沿著所述基板(2)的厚度的基板材料未被去除的剩余部分執行研磨所述基板(2)的所述第二表面(2b)的步驟,以沿著所述至少一條分割線(22)分割所述基板(2)。
10.根據權利要求1或2所述的方法,其中,在沿著所述至少一條分割線(22)的施加了所述脈沖激光束(LB)的多個位置中的每個位置中,形成多個改性區域(23),每個改性區域(23)完全布置在所述基板(2)的所述本體內,并且所述多個改性區域(23)沿著從所述第一表面(2a)朝向所述第二表面(2b)的方向一個接一個地布置。
11.根據權利要求1或2所述的方法,其中,沿著所述改性區域(23)的在從所述第一表面(2a)朝向所述第二表面(2b)的方向上的整個延伸去除所述基板材料。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





