[發(fā)明專利]提升管式PECVD工藝產(chǎn)能的方法及其應(yīng)用

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711336123.2
• 申請(qǐng)日: 2017-12-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108048821A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王斌;何悅;周東;王在發(fā);任勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 尚德太陽(yáng)能電力有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/52
• 分類號(hào): C23C16/52;C23C16/513
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔;鄭暄

本發(fā)明涉及一種提升管式PECVD工藝產(chǎn)能的方法，所述的方法包括：鍍膜后抽真空并控制系統(tǒng)的溫度，使得爐管保持持續(xù)加熱狀態(tài)。本發(fā)明還涉及一種管式PECVD工藝產(chǎn)能的方法的應(yīng)用。采用了本發(fā)明的提升管式PECVD工藝產(chǎn)能的方法，摒棄傳統(tǒng)工藝技術(shù)，從非鍍膜工藝流程(鍍膜后輔助流程)上實(shí)現(xiàn)工藝運(yùn)行時(shí)間縮短，從而實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能提升；實(shí)際工藝運(yùn)行起始溫度能夠提高30℃，升溫步驟可節(jié)約時(shí)間3min(調(diào)整前升溫耗時(shí)8～10min，調(diào)整后升溫耗時(shí)5～7min)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光伏行業(yè)晶硅電池領(lǐng)域，具體是指一種提升管式PECVD工藝產(chǎn)能的方法。

背景技術(shù)

隨著人們對(duì)環(huán)境保護(hù)意識(shí)增強(qiáng)及清潔能源的重視，整個(gè)光伏行業(yè)呈現(xiàn)蓬勃發(fā)展的態(tài)勢(shì)。在這良好的機(jī)遇下，對(duì)于晶硅電池制造企業(yè)而言，如果能夠追求產(chǎn)量最大化，不僅可以使企業(yè)獲得更大的利潤(rùn)，而且能夠大幅降低制造成本。

在整個(gè)常規(guī)電池工藝生產(chǎn)流程中，在設(shè)備機(jī)臺(tái)數(shù)量1對(duì)1的情況下，前道工序刻蝕和后道工序絲網(wǎng)，整體產(chǎn)能均高出PECVD工藝，導(dǎo)致PECVD工藝產(chǎn)出一直成為瓶頸。雖然購(gòu)買新PECVD設(shè)備機(jī)臺(tái)可以解決此問(wèn)題，但由于管式PECVD機(jī)臺(tái)造價(jià)不菲，會(huì)給企業(yè)增加額外的成本和負(fù)擔(dān)。若能夠在不增加新設(shè)備機(jī)臺(tái)的情況下，通過(guò)工藝參數(shù)優(yōu)化改進(jìn)和創(chuàng)新達(dá)到的產(chǎn)能提升，將成為PECVD產(chǎn)能瓶頸最佳解決方案。

目前光伏行業(yè)正式發(fā)展已有17年光景，針對(duì)管式PECVD產(chǎn)能提升方案，傳統(tǒng)技術(shù)手段主要從鍍膜工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)整(如功率、占空比等)。目前傳統(tǒng)技術(shù)手段各廠家已研究透徹，深度優(yōu)化可能對(duì)產(chǎn)品外觀或可靠性有一定影響，存在一定的風(fēng)險(xiǎn)性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是克服了上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供了一種提升管式PECVD工藝產(chǎn)能的方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的提升管式PECVD工藝產(chǎn)能的方法主要包括以下內(nèi)容：

所述的方法包括：鍍膜后抽真空并控制系統(tǒng)的溫度，使得爐管保持持續(xù)加熱狀態(tài)。

較佳地，所述的方法包括：鍍膜后抽真空并將系統(tǒng)的溫度設(shè)定在450℃～500℃之間，使得爐管保持持續(xù)加熱狀態(tài)；所述的管式PECVD工藝中的鍍膜過(guò)程溫度控制在445℃～455℃。

較佳地，所述的方法包括：鍍膜后抽真空并將系統(tǒng)的溫度設(shè)定為500℃，使得爐管保持持續(xù)加熱狀態(tài)；所述的管式PECVD工藝中的鍍膜過(guò)程溫度控制在450℃。

較佳地，所述的鍍膜后抽真空之后還包括步驟：吹掃管路，關(guān)閉尾氣處理裝置，充氮，出舟，結(jié)束所述的管式PECVD工藝。

較佳地，所述的鍍膜后抽真空之后還包括步驟：吹掃管路，關(guān)閉尾氣處理裝置，然后向爐管內(nèi)充入氮?dú)馐範(fàn)t內(nèi)達(dá)到大氣壓，開(kāi)啟爐門，將完成管式PECVD工藝的石墨舟送出爐管，結(jié)束所述的管式PECVD工藝。

較佳地，所述的方法還包括鍍膜前輔助步驟。

較佳地，所述的鍍膜前輔助步驟包括：充氮，進(jìn)舟，抽真空，升溫，打開(kāi)尾氣處理裝置，再次抽真空，二次恒溫，測(cè)漏。

較佳地，所述的鍍膜前輔助步驟包括：在上一管式PECVD工藝結(jié)束后，向爐管內(nèi)充入氮?dú)猓敝翣t管內(nèi)達(dá)到大氣壓，開(kāi)啟爐門，將裝有硅片的石墨舟送入爐管內(nèi)部，爐管內(nèi)抽真空并保持爐管真空狀態(tài)，加熱爐管，直至爐管內(nèi)所有溫度達(dá)到430℃，打開(kāi)尾氣處理裝置，并再次抽真空且保持爐管真空狀態(tài)，進(jìn)行二次恒溫，測(cè)試爐管實(shí)際漏率，準(zhǔn)備鍍膜過(guò)程。

本發(fā)明還提供了一種所述的提升管式PECVD工藝產(chǎn)能的方法的應(yīng)用，所述的方法用于提升生產(chǎn)多晶硅片、單晶硅片、PERC硅片的管式PECVD工藝的產(chǎn)能。