[發明專利]提升管式PECVD工藝產能的方法及其應用

在審

• 申請號: 201711336123.2
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN108048821A
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 王斌;何悅;周東;王在發;任勇
• 申請（專利權）人: 尚德太陽能電力有限公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52;C23C16/513
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔;鄭暄

1.一種提升管式PECVD工藝產能的方法，其特征在于，所述的方法包括：鍍膜后抽真空并控制系統的溫度，使得爐管保持持續加熱狀態。

2.根據權利要求1所述的提升管式PECVD工藝產能的方法，其特征在于，所述的方法包括：鍍膜后抽真空并將系統的溫度設定在450℃～500℃之間，使得爐管保持持續加熱狀態；所述的管式PECVD工藝中的鍍膜過程溫度控制在445℃～455℃。

3.根據權利要求1或2所述的提升管式PECVD工藝產能的方法，其特征在于，所述的方法包括：鍍膜后抽真空并將系統的溫度設定為500℃，使得爐管保持持續加熱狀態；所述的管式PECVD工藝中的鍍膜過程溫度控制在450℃。

4.根據權利要求1所述的提升管式PECVD工藝產能的方法，其特征在于，所述的鍍膜后抽真空之后還包括步驟：吹掃管路，關閉尾氣處理裝置，充氮，出舟，結束所述的管式PECVD工藝。

5.根據權利要求1或4所述的提升管式PECVD工藝產能的方法，其特征在于，所述的鍍膜后抽真空之后還包括步驟：吹掃管路，關閉尾氣處理裝置，然后向爐管內充入氮氣使爐內達到大氣壓，開啟爐門，將完成管式PECVD工藝的石墨舟送出爐管，結束所述的管式PECVD工藝。

6.根據權利要求1所述的提升管式PECVD工藝產能的方法，其特征在于，所述的方法還包括鍍膜前輔助步驟。

7.根據權利要求6所述的提升管式PECVD工藝產能的方法，其特征在于，所述的鍍膜前輔助步驟包括：充氮，進舟，抽真空，升溫，打開尾氣處理裝置，再次抽真空，二次恒溫，測漏。

8.根據權利要求6所述的提升管式PECVD工藝產能的方法，其特征在于，所述的鍍膜前輔助步驟包括：在上一管式PECVD工藝結束后，向爐管內充入氮氣，直至爐管內達到大氣壓，開啟爐門，將裝有硅片的石墨舟送入爐管內部，爐管內抽真空并保持爐管真空狀態，加熱爐管，直至爐管內所有溫度達到430℃，打開尾氣處理裝置，并再次抽真空且保持爐管真空狀態，進行二次恒溫，測試爐管實際漏率，準備鍍膜過程。

9.一種權利要求1至8中任一項所述的提升管式PECVD工藝產能的方法的應用，其特征在于，所述的方法用于提升生產多晶硅片、單晶硅片、PERC硅片的管式PECVD工藝的產能。