[發(fā)明專利]集成電路封裝件及其形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711335299.6 | 申請日: | 2017-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN109216204B | 公開(公告)日: | 2021-11-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林俊成;鄭禮輝;蔡柏豪 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 封裝 及其 形成 方法 | ||
1.一種形成集成電路封裝件的方法,包括:
在載體上方形成導(dǎo)電柱;
將集成電路管芯附接至所述載體,所述集成電路管芯設(shè)置為鄰近所述導(dǎo)電柱;
在所述導(dǎo)電柱和所述集成電路管芯周圍形成密封劑;
去除所述載體以暴露所述導(dǎo)電柱的第一表面和所述密封劑的第二表面;
在所述第一表面和所述第二表面上方形成聚合物材料;以及
固化所述聚合物材料以形成環(huán)形結(jié)構(gòu),其中,所述環(huán)形結(jié)構(gòu)的內(nèi)邊緣在平面圖中與所述第一表面重疊,并且其中,所述環(huán)形結(jié)構(gòu)的外邊緣在所述平面圖中與所述第二表面重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述聚合物材料包括可UV固化聚合物材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,固化所述聚合物材料包括將所述聚合物材料暴露于UV光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述聚合物材料包括可熱固化聚合物材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中,固化所述聚合物材料包括對所述聚合物材料實施熱處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:在去除所述載體之前,在所述導(dǎo)電柱、所述集成電路管芯和所述密封劑上方形成再分布結(jié)構(gòu),所述再分布結(jié)構(gòu)電連接至所述導(dǎo)電柱和所述集成電路管芯。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:在形成所述聚合物材料之前,使所述密封劑凹進以暴露所述導(dǎo)電柱的側(cè)壁。
8.一種形成集成電路封裝件的方法,包括:
在載體上方形成導(dǎo)電柱;
將集成電路管芯附接至所述載體,所述集成電路管芯設(shè)置為鄰近所述導(dǎo)電柱;
在所述載體上方和所述導(dǎo)電柱周圍形成聚合物材料;
固化所述聚合物材料以形成環(huán)形結(jié)構(gòu);以及
在所述環(huán)形結(jié)構(gòu)上方以及所述導(dǎo)電柱和所述集成電路管芯周圍形成密封劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,所述聚合物材料包括可UV固化聚合物材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,固化所述聚合物材料包括將所述聚合物材料暴露于UV光。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,所述聚合物材料包括可熱固化聚合物材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中,固化所述聚合物材料包括對所述聚合物材料實施熱處理。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,還包括:在所述導(dǎo)電柱、所述集成電路管芯和所述密封劑上方形成再分布結(jié)構(gòu),所述再分布結(jié)構(gòu)電連接至所述導(dǎo)電柱和所述集成電路管芯。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,還包括:在形成所述再分布結(jié)構(gòu)之后,去除所述載體以暴露所述導(dǎo)電柱的第一表面和所述環(huán)形結(jié)構(gòu)的第二表面。
15.一種集成電路封裝件結(jié)構(gòu),包括:
集成電路管芯;
密封劑,沿著所述集成電路管芯的側(cè)壁延伸,所述密封劑具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面;
導(dǎo)電柱,延伸穿過所述第一表面和所述第二表面之間的所述密封劑;以及
環(huán)形結(jié)構(gòu),設(shè)置在所述密封劑的所述第一表面處,所述環(huán)形結(jié)構(gòu)在平面圖中圍繞所述導(dǎo)電柱,
其中,所述導(dǎo)電柱的第三表面與所述密封劑的所述第一表面齊平,其中,所述環(huán)形結(jié)構(gòu)的內(nèi)邊緣在所述平面圖中與所述第三表面重疊,并且其中,所述環(huán)形結(jié)構(gòu)的外邊緣在所述平面圖中與所述第一表面重疊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的集成電路封裝件結(jié)構(gòu),還包括:與所述導(dǎo)電柱物理接觸的再分布結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





