[發明專利]一種GaN基黃光LED結構

在審

• 申請號: 201711334944.2
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN108010999A
• 公開（公告）日: 2018-05-08
• 發明（設計）人: 羅艷
• 申請（專利權）人: 四川九鼎智遠知識產權運營有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/24;H01L33/20
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 詹永斌

本發明公開了一種GaN基黃光LED結構。其包括芯片組件和發光二極管組件；芯片組件包括碳化硅襯底、生長于碳化硅襯底的外延層以及設于外延層上的P電極和N電極；外延層包括依次層疊的InN緩沖層、AlGaN緩沖層、非故意摻雜GaN接觸層、N型摻雜GaN接觸層、InGaN準備層、黃光多量子阱層、電子阻擋層、P型摻雜GaN接觸層以及透明導電層，N電極設于N型摻雜GaN接觸層上，P電極設于透明導電層上，InGaN準備層和黃光多量子阱層包含有倒錐形結構，發光二極管組件包括用于固定芯片組件的支架、焊線和支架電極。本發明能夠避免出現裂片、碎片現象，且提高均勻性。

技術領域

本發明涉及照明技術領域，特別是涉及一種GaN基黃光LED結構。

背景技術

近年來、氮化物基發光二極管芯片廣泛應用于照明領域。隨著發光二極管的大規模應用，市場對于發光二極管的生產效率，生產成本提出更高的要求，因此為了持續降低制造成本，采用碳化硅襯底的發光二極管替代藍寶石襯底的發光二極管是未來開展趨勢。

目前，采用碳化硅襯底的發光二極管可以增大襯底尺寸，但是由于6英寸乃至更大尺寸的外延技術尚不成熟，導致碳化硅襯底的發光二極管尚未完全普及，主要原因就是大尺寸的外延片在生長過程中容易出現裂片、碎片現象，且外延片均勻性差，從而導致外延片的產品量率低，難以規模化生產。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種GaN基黃光LED結構，能夠避免出現裂片、碎片現象，且提高均勻性。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種GaN基黃光LED結構，包括芯片組件和發光二極管組件；所述芯片組件包括碳化硅襯底、生長于碳化硅襯底的外延層以及設于外延層上的P電極和N電極；所述外延層包括依次層疊的InN緩沖層、AlGaN緩沖層、非故意摻雜GaN接觸層、N型摻雜GaN接觸層、InGaN準備層、黃光多量子阱層、電子阻擋層、P型摻雜GaN接觸層以及透明導電層，所述N電極設于所述N型摻雜GaN接觸層上，所述P電極設于所述透明導電層上，所述InGaN準備層和黃光多量子阱層包含有倒錐形結構，所述發光二極管組件包括用于固定所述芯片組件的支架、焊線和支架電極。

優選的，所述透明導電層為ITO層。

優選的，所述InN緩沖層的厚度為10-200nm，所述AlGaN緩沖層的厚度為10-100nm。

本發明的有益效果是：區別于現有技術的情況，本發明采用芯片組件和發光二極管組件的復合結構，且芯片組件包括碳化硅襯底和生長于碳化硅襯底的外延層，外延層包括依次層疊的InN緩沖層、AlGaN緩沖層、非故意摻雜GaN接觸層、N型摻雜GaN接觸層、InGaN準備層、黃光多量子阱層、電子阻擋層、P型摻雜GaN接觸層以及透明導電層，由于外延層具有兩層緩沖層，能夠更好地釋放碳化硅與GaN之間的應力，從而能夠避免出現裂片、碎片現象，且提高均勻性，保證了穩定性和發光質量，提高了使用壽命。

附圖說明

圖1是本發明實施例提供的GaN基黃光LED結構的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

參閱圖1，是本發明實施例提供的GaN基黃光LED結構的結構示意圖，本發明實施例的GaN基黃光LED結構包括芯片組件和發光二極管組件。