[發明專利]一種GaN基黃光LED結構在審
| 申請號： | 201711334944.2 | 申請日： | 2017-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN108010999A | 公開（公告）日： | 2018-05-08 |
| 發明（設計）人： | 羅艷 | 申請（專利權）人： | 四川九鼎智遠知識產權運營有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/24;H01L33/20 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214 | 代理人： | 詹永斌 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan 基黃光 led 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種GaN基黃光LED結構，其特征在于，包括芯片組件和發光二極管組件；所述芯片組件包括碳化硅襯底、生長于碳化硅襯底的外延層以及設于外延層上的P電極和N電極；所述外延層包括依次層疊的InN緩沖層、AlGaN緩沖層、非故意摻雜GaN接觸層、N型摻雜GaN接觸層、InGaN準備層、黃光多量子阱層、電子阻擋層、P型摻雜GaN接觸層以及透明導電層，所述N電極設于所述N型摻雜GaN接觸層上，所述P電極設于所述透明導電層上，所述InGaN準備層和黃光多量子阱層包含有倒錐形結構，所述發光二極管組件包括用于固定所述芯片組件的支架、焊線和支架電極。
2.根據權利要求1所述的GaN基黃光LED結構，其特征在于，所述透明導電層為ITO層。
3.根據權利要求1所述的GaN基黃光LED結構，其特征在于，所述InN緩沖層的厚度為10-200nm，所述AlGaN緩沖層的厚度為10-100nm。
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