[發明專利]一種LED發光芯片及加工方法

在審

• 申請號: 201711332487.3
• 申請日: 2017-12-13
• 公開（公告）號: CN108054256A
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 賈釗;趙炆兼;張雙翔;楊凱;陳凱軒
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/14
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 徐彥圣

1.一種LED發光芯片，其特征在于，包括：

依次層疊設置的基礎層、發光層和電極，所述基礎層包括硅襯底，所述發光層包括層疊設置的N型層、MQW層和P型層；

在所述MQW層內部設置有絕緣區，所述絕緣區位于電極的下方。

2.根據權利要求1所述的LED發光芯片，其特征在于，

所述MQW層包括層疊設置的MQW勢磊層和MQW勢井層。

3.根據權利要求1所述的LED發光芯片，其特征在于，所述基礎層還包括反射鏡面，所述反射鏡面位于所述硅襯底和發光層之間。

4.根據權利要求1所述的LED發光芯片，其特征在于，

所述絕緣區是由所述發光層遠離基礎層的一側表面向另一側表面延伸所形成的，所述絕緣區至少延伸至MQW層。

5.根據權利要求1所述的LED發光芯片，其特征在于，

在所述發光層的上表面設置有連接線，所述連接線的一端與電極相接觸，另一端與導電區遠離基礎層的一側表面相接處；所述導電區是發光層中除絕緣區以外的區域。

6.根據權利要求1所述的LED發光芯片，其特征在于，所述絕緣區中填充有絕緣材料，所述絕緣材料包括以下的一種或多種：透明玻璃膠、液晶和透明氮化物；

所述絕緣區呈錐狀或圓柱狀。

7.根據權利要求1所述的LED發光芯片，其特征在于，絕緣區包括二氧化硅層和液晶填充區，二氧化硅層設置在液晶填充區和導電區之間，以使所述液晶填充區通過二氧化硅層與導電區相接觸。

8.一種LED發光芯片的加工方法，其特征在于，包括：

在基礎層上生長發光層；基礎層包括硅襯底；

對發光層進行挖空處理，挖空處理至少在到MQW層內部形成空洞，MQW層的空洞位于電極位置的下方，發光層包括順序層疊設置的P型層、MQW層和N型層；

在挖空形成的空洞中填充絕緣材料，以形成絕緣區；

在預留的電極位置上設置電極，以使電極與發光層的導電區相接觸，導電區是發光層中除絕緣區以外的區域。

9.根據權利要求8所述的LED發光芯片的加工方法，其特征在于，步驟在挖空形成的空洞中填充絕緣材料，以形成絕緣區包括：

在空洞的洞壁上設置二氧化硅層；

在空洞中填充液晶，以使液晶通過二氧化硅層與導電區相接觸，導電區是發光層中除絕緣區以外的區域。

10.一種LED發光芯片的加工方法，其特征在于，包括：

在基礎層上濺射第一發光層；

在第一發光層上設置光刻圖形；

在第一發光層上濺射MQW層；

剝離掉光刻圖形所對應的區域，以在MQW層中形成導電區和挖空區；

在挖空區中填充絕緣材料，以形成絕緣區；

在MQW層上濺射第二發光層，第一發光層和第二發光層分別是N型層和P型層；

在第二發光層上表面設置電極，以使電極與導電區相接觸。

11.一種LED發光芯片的加工方法，其特征在于，包括：

在基礎層上濺射第一發光層；

在第一發光層上設置光刻圖形；

在第一發光層上依次濺射MQW層和第二發光層，第一發光層和第二發光層分別是N型層和P型層；

剝離掉光刻圖形所對應的區域，以在MQW層和第二發光層中均形成導電區和挖空區，MQW層中的挖空區位于電極的下方；

在挖空區中填充絕緣材料，以形成絕緣區；

在第二發光層上表面設置電極，以使電極的下表面與第二發光層的導電區相接觸。