[發明專利]一種LED發光芯片及加工方法

在審

• 申請號: 201711332487.3
• 申請日: 2017-12-13
• 公開（公告）號: CN108054256A
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 賈釗;趙炆兼;張雙翔;楊凱;陳凱軒
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/14
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 徐彥圣

本發明提供了一種LED發光芯片及加工方法，涉及LED技術領域。本發明提供的LED發光芯片，包括基礎層和發光層，發光層包括層疊設置的N型層、MQW層和P型層，其中，在MQW層中設置了絕緣區，該絕緣區設置在了電極的下方。由于MQW層是主要進行發光的一層，并且絕緣區基本沒有電流通過，導致絕緣區基本不會發光，從而使得電流更多的通過MQW層中的導電區(MQW層中除絕緣區以外的區域)通過，從而增強了導電區的發光程度，由于導電區所發出的光線更不容易被電極所遮擋(相比于絕緣區)，進而，一定程度上提高了發光效果。

技術領域

本發明涉及LED技術領域，具體而言，涉及一種LED發光芯片及加工方法。

背景技術

隨著技術的進步，以LED技術為核心的LED發光芯片層出不窮。

led發光芯片，是led燈的核心組件，也就是指的P-N結。其主要功能是：把電能轉化為光能，芯片的主要材料為單晶硅。半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體，在它里面空穴占主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個P-N結。當電流通過導線作用于這個晶片的時候，電子就會被推向P區，在P區里電子跟空穴復合，然后就會以光子的形式發出能量，這就是LED發光的原理。而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的。

發明內容

本發明的目的在于提供一種LED發光芯片及加工方法。

第一方面，本發明實施例提供了一種LED發光芯片，包括：

依次層疊設置的基礎層、發光層和電極，基礎層包括硅襯底，發光層包括層疊設置的N型層、MQW層和P型層；

在MQW層內部設置有絕緣區，絕緣區位于電極的下方。

結合第一方面，本發明實施例提供了第一方面的第一種可能的實施方式，其中，MQW層是包括層疊設置的MQW勢磊層和MQW勢井層。

結合第一方面，本發明實施例提供了第一方面的第二種可能的實施方式，其中，基礎層還包括反射鏡面，反射鏡面位于硅襯底和發光層之間。

結合第一方面，本發明實施例提供了第一方面的第三種可能的實施方式，其中，絕緣區是由發光層遠離基礎層的一側表面向另一側表面延伸所形成的，絕緣區至少延伸至MQW層。

結合第一方面，本發明實施例提供了第一方面的第四種可能的實施方式，其中，在發光層的上表面設置有連接線，連接線的一端與電極相接觸，另一端與導電區遠離基礎層的一側表面相接處；導電區是發光層中除絕緣區以外的區域。

結合第一方面，本發明實施例提供了第一方面的第五種可能的實施方式，其中，絕緣區中填充有絕緣材料，絕緣材料包括以下的一種或多種：透明玻璃膠和液晶和透明氮化物；

所述絕緣區呈錐狀或圓柱狀。

結合第一方面，本發明實施例提供了第一方面的第六種可能的實施方式，其中，絕緣區包括二氧化硅層和液晶填充區，二氧化硅層設置在液晶填充區和導電區之間，以使液晶填充區通過二氧化硅層與導電區相接觸。

第二方面，本發明實施例還提供了一種LED發光芯片的加工方法，包括：

在基礎層上生長發光層；基礎層包括硅襯底；

對發光層進行挖空處理，挖空處理至少在到MQW層內部形成空洞，MQW層的空洞位于電極位置的下方，發光層包括順序層疊設置的P型層、MQW層和N型層；

在挖空形成的空洞中填充絕緣材料，以形成絕緣區；

在預留的電極位置上設置電極，以使電極與發光層的導電區相接觸，導電區是發光層中除絕緣區以外的區域。