[發明專利]一種薄膜缺陷之屬性的確定方法

有效

• 申請號: 201711332288.2
• 申請日: 2017-12-13
• 公開（公告）號: CN108122803B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 陳莉芬;劉宇;王卉
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

本發明公開一種薄膜缺陷之屬性的確定方法。薄膜缺陷之屬性的確定方法，包括，步驟S1：提供硅基襯底，并在硅基襯底上制備各功能層；步驟S2：將功能層上之待分析剝離缺陷在電鏡作用下進行定位；步驟S3：對具有待分析剝離缺陷之硅基襯底上淀積氧化層，以將待分析剝離缺陷在硅基襯底上進行固定；步驟S4：將具有已固定之待分析剝離缺陷的硅基襯底歸于定位處，并進行薄膜缺陷之屬性的確定。本發明不僅可以在電鏡的作用下對剝離缺陷進行定位，并通過淀積氧化層固定所述剝離缺陷，進行歸于定位處進行薄膜缺陷之屬性確定，而且可以明確剝離缺陷之來源，并進行針對性的工藝改善，以消除剝離缺陷，提高產品良率。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種薄膜缺陷之屬性的確定方法。

背景技術

在實際芯片生產過程中，我們發現0.11μm閃存和邏輯平臺的芯片在鈍化層合金化工藝后通常會出現大量的剝離缺陷。上述剝離缺陷在光學顯微鏡(OM)觀測下呈現出薄片狀，且具有很大的尺寸，甚至可達幾十微米的大小。

顯然地，上述密集且大尺寸的剝離缺陷對后續的工藝和后端封測帶來了很大影響。同時由于所述剝離缺陷為剝落所致，僅落置于基底上，故極易污染后續工藝的機臺和機臺中的其他產品。

為了消除上述衍生的剝離缺陷，工作人員需要分析剝離缺陷的成分和厚度，以確定所述剝離缺陷之來源，從而通過相關工藝進行針對性的改善。但是，在剝離缺陷的分析過程中，本領域工作人員通常遇到如下問題，即由于所述剝離缺陷呈薄片狀，并且和硅片表面沒有任何粘附力，所以在對其進行失效(FA)分析，機臺抽真空時，剝離缺陷勢必被抽真空時所形成的氣流挪動至其他地方，造成無法定位，進而分析失敗。

故針對現有技術存在的問題，本案設計人憑借從事此行業多年的經驗，積極研究改良，于是有了本發明一種薄膜缺陷之屬性的確定方法。

發明內容

本發明是針對現有技術中，所述剝離缺陷呈薄片狀，并且和硅片表面沒有任何粘附力，所以在對其進行失效(FA)分析，機臺抽真空時，剝離缺陷勢必被抽真空時所形成的氣流挪動至其他地方，造成無法定位，進而分析失敗等缺陷提供一種薄膜缺陷之屬性的確定方法。

為實現本發明之目的，本發明提供一種薄膜缺陷之屬性的確定方法，所述薄膜缺陷之屬性的確定方法，包括，

執行步驟S1：提供硅基襯底，并在所述硅基襯底上制備各功能層；

執行步驟S2：將所述功能層上之待分析剝離缺陷在電鏡作用下進行定位；

執行步驟S3：對具有待分析剝離缺陷之硅基襯底上淀積氧化層，以將所述待分析剝離缺陷在所述硅基襯底上進行固定；

執行步驟S4：將具有已固定之待分析剝離缺陷的硅基襯底歸于定位處，并進行薄膜缺陷之屬性的確定。

可選地，所述功能層為鈍化層、金屬層、介質層的至少其中之一。

可選地，所述電鏡為光學顯微鏡(OM)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)的至少其中之一。

可選地，所述氧化層的淀積方法為化學氣相沉積。

可選地，所述氧化層的厚度根據所述剝離缺陷之厚度進行設置。

可選地，所述氧化層的厚度至少覆蓋所述剝離缺陷，并將所述剝離缺陷固定。

可選地，所述薄膜缺陷之屬性為剝離缺陷之厚度、成分。

可選地，所述薄膜缺陷之屬性的確定方法采用能譜儀(EDX)、X射線衍射儀(XRD)、X射線光電子能譜儀(XPS)的至少其中之一。