[發明專利]一種薄膜缺陷之屬性的確定方法有效
| 申請號： | 201711332288.2 | 申請日： | 2017-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN108122803B | 公開（公告）日： | 2020-11-13 |
| 發明（設計）人： | 陳莉芬;劉宇;王卉 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜 缺陷 屬性 確定 方法 | ||
1.一種薄膜缺陷之屬性的確定方法，其特征在于，所述薄膜缺陷之屬性的確定方法，包括，
執行步驟S1：提供硅基襯底，并在所述硅基襯底上制備各功能層；
執行步驟S2：將所述功能層上之待分析剝離缺陷在電鏡作用下進行定位；
執行步驟S3：在具有待分析剝離缺陷之硅基襯底上淀積氧化層，以將所述待分析剝離缺陷在所述硅基襯底上進行固定；
執行步驟S4：將具有已固定之待分析剝離缺陷的硅基襯底歸于定位處，并進行薄膜缺陷之屬性的確定；其中，所述氧化層的厚度根據所述剝離缺陷之厚度進行設置，并且所述氧化層的厚度至少覆蓋所述剝離缺陷，并將所述剝離缺陷固定。
2.如權利要求1所述薄膜缺陷之屬性的確定方法，其特征在于，所述功能層為鈍化層、金屬層、介質層的至少其中之一。
3.如權利要求1所述薄膜缺陷之屬性的確定方法，其特征在于，所述電鏡為掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)的至少其中之一。
4.如權利要求1所述薄膜缺陷之屬性的確定方法，其特征在于，所述氧化層的淀積方法為化學氣相沉積。
5.如權利要求1所述薄膜缺陷之屬性的確定方法，其特征在于，所述薄膜缺陷之屬性為剝離缺陷之厚度、成分。
6.如權利要求1所述薄膜缺陷之屬性的確定方法，其特征在于，所述薄膜缺陷之屬性的確定方法采用能譜儀(EDX)、X射線衍射儀(XRD)、X射線光電子能譜儀(XPS)的至少其中之一。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司，未經上海華虹宏力半導體制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711332288.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種工藝測試鍵測試電路及其實現方法
- 下一篇：TFT陣列基板全接觸式測試線路
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
