[發明專利]半導體元件在審
| 申請號： | 201711331673.5 | 申請日： | 2017-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN109216457A | 公開（公告）日： | 2019-01-15 |
| 發明（設計）人： | 楊哲維;林浩雄;潘正圣 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司;林浩雄 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 漸變 半導體鰭 半導體元件 漏極區域 柵電極 源極 柵極絕緣層 拉伸應力 相對側面 壓縮應力 基材 配置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體元件，其特征在于，包含：
一半導體鰭，從一基材突出；
一柵電極，設置在該半導體鰭上方；
一柵極絕緣層，設置在該半導體鰭與該柵電極之間；
源極及漏極區域，設置在該半導體鰭的相對側面上；以及
一第一應力物，在該基材在所述源極與漏極區域之間的一區域中或在該半導體鰭在所述源極與漏極區域之間的一區域中形成，其中：
該第一應力物是包括于多個漸變的深度形成的多個漸變的部分的一漸變的應變應力物，并且
該第一應力物經配置以產生一漸變的壓縮應力或一漸變的拉伸應力之一。
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