[發明專利]一種工藝測試鍵測試電路及其實現方法在審
| 申請號： | 201711329274.5 | 申請日： | 2017-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN108122802A | 公開（公告）日： | 2018-06-05 |
| 發明（設計）人： | 高超 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電路 測試電路 測試焊盤 工藝測試 開關切換 測試鍵 切割道 晶圓 可用 占用 | ||
1.一種工藝測試鍵測試電路，包括測試焊盤，其特征在于：所述測試焊盤連接多個端口，各端口通過切換電路進行開關切換。
2.如權利要求1所述一種工藝測試鍵測試電路，其特征在于：所述切換電路的控制信號連接其他測試焊盤。
3.如權利要求2所述一種工藝測試鍵測試電路，其特征在于：所述切換電路采用傳輸門或者N/PMOSFET進行開關切換。
4.如權利要求1所述一種工藝測試鍵測試電路，其特征在于：所述測試焊盤連接兩個端口，每個端口通過切換電路進行開關切換。
5.如權利要求4所述一種工藝測試鍵測試電路，其特征在于：每個端口通過傳輸門或N/PMOSFET連接至所述測試焊盤，該傳輸門或N/PMOSFET的兩個控制信號分別連接其他兩個測試焊盤。
6.如權利要求4所述一種工藝測試鍵測試電路，其特征在于：所述測試焊盤可以復用。
7.一種工藝測試鍵測試電路的實現方法，包括如下步驟：
步驟一，將測試焊盤設計為多個端口；
步驟二，將各端口通過切換電路進行開關切換；
步驟三，將切換電路的控制信號連接其他測試焊盤。
8.如權利要求7所述的一種工藝測試鍵測試電路的實現方法，其特征在于：該切換電路采用傳輸門或者N/PMOSFET進行開關切換。
9.如權利要求8所述的一種工藝測試鍵測試電路的實現方法，其特征在于：于步驟一中，將測試焊盤設計為兩個端口。
10.如權利要求9所述的一種工藝測試鍵測試電路的實現方法，其特征在于：每個端口通過傳輸門或N/PMOSFET連接至所述測試焊盤，該傳輸門或N/PMOSFET的兩個控制信號分別連接其他兩個測試焊盤。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
