[發(fā)明專利]半導體器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711328397.7 | 申請日: | 2017-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN109286390B | 公開(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金昌鉉 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | H03K5/133 | 分類號: | H03K5/133;H03K5/135;H03K5/26;G06F1/12 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產(chǎn)權代理有限公司 11363 | 代理人: | 厲錦;王建國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件,包括:
命令輸入電路,被配置成與時鐘信號同步來產(chǎn)生如果外部命令輸入給命令輸入電路則被使能的輸入命令;以及
內部命令發(fā)生電路,被配置成同步于通過將時鐘信號的頻率分頻而產(chǎn)生的第一分時鐘信號和第二分時鐘信號、根據(jù)等待時間信息信號將輸入命令延遲預定時段來產(chǎn)生內部命令,
其中,所述預定時段被設置成等于第一延遲量與第二延遲量之和,第一延遲量與第二分時鐘信號的周期時間的“N”倍相對應,第二延遲量與時鐘信號的周期時間的“M”倍相對應,
其中,所述第一分時鐘信號和第二分時鐘信號為具有不同頻率的信號。
2.如權利要求1所述的半導體器件,
其中,第一分時鐘信號具有為時鐘信號的頻率的2N分之一的頻率;以及
其中,第二分時鐘信號具有為第一分時鐘信號的頻率的2N分之一的頻率。
3.如權利要求2所述的半導體器件,其中,數(shù)量“N”和“M”為自然數(shù)。
4.如權利要求1所述的半導體器件,
其中,等待時間信息信號包括第一組和第二組;
其中,等待時間信息信號的第一組為用于設置第二延遲量的信號;以及
其中,等待時間信息信號的第二組為用于設置第一延遲量的信號。
5.如權利要求1所述的半導體器件,其中,內部命令發(fā)生電路包括:
選擇命令發(fā)生電路,被配置成同步于第一分時鐘信號和第二分時鐘信號而根據(jù)等待時間信息信號將輸入命令延遲所述預定時段來產(chǎn)生多個選擇命令;以及
選擇/傳輸電路,被配置成檢測外部命令輸入的時間,以及被配置成根據(jù)檢測結果來將所述多個選擇命令中的任意一個輸出而作為內部命令。
6.如權利要求5所述的半導體器件,其中,選擇命令發(fā)生電路包括:
控制信號發(fā)生電路,被配置成將等待時間信息信號解碼來產(chǎn)生多個控制信號,所述多個控制信號之一被選擇性地使能;
偏移電路,被配置成響應于所述多個控制信號而將輸入命令延遲第一延遲量來產(chǎn)生第一偏移命令;
脈沖寬度控制電路,被配置成同步于時鐘信號、第一分時鐘信號和第二分時鐘信號來控制第一偏移命令的脈沖寬度以產(chǎn)生第二偏移命令;以及
選擇命令輸出電路,被配置成響應于從等待時間信息信號產(chǎn)生的使能信號而將第二偏移命令延遲第二延遲量來輸出延遲的第二偏移命令作為所述多個選擇命令中的任意一個。
7.如權利要求6所述的半導體器件,
其中,所述多個控制信號包括第一控制信號、第二控制信號和第三控制信號;以及
其中,偏移電路包括:
第一延遲電路,被配置成響應于第一控制信號而將輸入命令延遲第二分時鐘信號的一個周期時間來產(chǎn)生第一延遲命令;
第二延遲電路,被配置成響應于第二控制信號而將輸入命令或第一延遲命令延遲第二分時鐘信號的一個周期時間來產(chǎn)生第二延遲命令;以及
第三延遲電路,被配置成響應于第三控制信號而將輸入命令或第二延遲命令延遲第二分時鐘信號的一個周期時間來產(chǎn)生第一偏移命令。
8.如權利要求6所述的半導體器件,
其中,使能信號包括第一使能信號至第四使能信號;
其中,所述多個選擇命令包括第一選擇命令至第四選擇命令;以及
其中,選擇命令輸出電路包括:
第一輸出電路,被配置成響應于第一使能信號而與時鐘信號同步來輸出第二偏移命令作為第一選擇命令;
第二輸出電路,被配置成響應于第二使能信號而與時鐘信號同步來輸出第一選擇命令作為第二選擇命令;
第三輸出電路,被配置成響應于第三使能信號而與時鐘信號同步來輸出第二選擇命令作為第三選擇命令;以及
第四輸出電路,被配置成響應于第四使能信號而與時鐘信號同步來輸出第三選擇命令作為第四選擇命令。
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