[發明專利]基板處理設備

有效

• 申請號: 201711328250.8
• 申請日: 2017-12-13
• 公開（公告）號: CN108231624B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 金永勛;韓镕圭;金大淵;張顯秀;李政鎬
• 申請（專利權）人: ASM知識產權私人控股有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所 11410
• 代理人: 楊黎峰;鐘錦舜

本發明公開了一種基板處理設備，包括：具有至少一個通孔的分隔件，通過所述通孔布置在所述分隔件中的導管，與所述導管連接的氣體供給單元，以及設置在所述通孔的側壁和所述導管之間的低介電材料。

相關申請的交叉引用

本申請要求在2016年12月14日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請第10-2016-0170410號申請的優先權，其公開內容通過引用整體并入本文。

技術領域

一個或多個實施方式涉及基板處理設備，并且更具體地，涉及能夠防止寄生等離子體生成的基板沉積設備。

背景技術

在制造半導體器件的過程中，隨著電線寬度的減小，要求更精確的工藝控制。在作為重要的半導體工藝之一的薄膜沉積工藝中，已經為實現高的薄膜均勻性的做出了許多努力。

均勻膜沉積的主要因素之一是氣體供給單元。普通氣體供給裝置采用噴頭方法。噴頭方法具有以同軸形式將氣體均勻地供給到基板上的優點。

等離子體被用于確保相對較快的響應速度。需要在反應空間中均勻地生成等離子體。當在不需要的空間中產生等離子體時，可能會在設備中出現缺陷。而且，當等離子體不均勻地分布在基板上時，膜的質量可能下降。

發明內容

一個或多個實施方式包括可防止寄生等離子體生成的基板沉積設備。

一個或多個實施方式包括可防止等離子體功率泄漏的基板處理設備。

其他的方面將在下述內容中被部分地闡述，并且將部分地從描述中變得顯而易見，或者可以通過實踐本申請實施方式而被了解。

根據一個或多個實施方式，一種基板處理設備包括：分隔件，其包括至少一個通孔；通過通孔布置在分隔件中的導管；連接到導管的氣體供給單元；以及在通孔的側壁和導管之間的低介電材料。

低介電材料可以包括空氣。

可以在基板處理設備中形成至少一個用于連接空氣和外部的路徑。

可以在分隔件和導管之間形成路徑。

可以在分隔件中形成路徑。

分隔件可以包括朝向氣體供給單元突出的突起，并且低介電材料可以接觸突起的一個側表面。

分隔件可以包括位于形成通孔的區域中的臺階部，導管可以包括凸緣，并且導管可以通過凸緣和臺階部之間的聯接而連接到分隔件。

可以在臺階部和凸緣之間形成與外部空氣連通的路徑。

基板處理設備還可以包括布置在分隔件和氣體供給單元之間的絕緣板。

基板處理設備還可以包括射頻(RF)桿，所述射頻桿通過貫穿分隔件的至少一部分和絕緣板而連接到氣體供給單元。

通孔可以在第一區域中具有第一直徑，并且在第一區域的下部中具有比第一直徑大的第二直徑。

通孔的至少一部分的直徑可朝向氣體供給單元連續地增加。

通孔的至少一部分的側截面輪廓可以具有鐘形的形狀。

根據一個或多個實施例，一種基板處理設備包括：分隔件，其包括至少一個通孔；絕緣導管，其通過通孔布置在分隔件中；氣體供給單元，其連接到絕緣導管；布置在分隔件和氣體供給單元之間的絕緣板；以及通過貫穿絕緣板而連接到氣體供給單元的射頻(RF)桿，其中，分隔件包括與絕緣板接觸的至少一個第一突起部分，和與絕緣板接觸并布置在第一突起部分和絕緣導管之間的至少一個第二突起部分，RF桿布置在第一突起部分和第二突起部分之間，并且空氣填充的空間形成于分隔件與絕緣板之間、通孔的側壁和絕緣導管之間、以及第一突起部分和第二突起部分之間。