[發明專利]基板處理設備

有效

• 申請號: 201711328250.8
• 申請日: 2017-12-13
• 公開（公告）號: CN108231624B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 金永勛;韓镕圭;金大淵;張顯秀;李政鎬
• 申請（專利權）人: ASM知識產權私人控股有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所 11410
• 代理人: 楊黎峰;鐘錦舜

1.一種基板處理設備，包括：

包括至少一個通孔的分隔件；

通過所述通孔布置在所述分隔件中的導管；

連接到所述導管的氣體供給單元；和

設置在所述通孔的側壁和所述導管之間的低介電材料，

其中，所述分隔件包括朝向所述氣體供給單元突出的第一突起，

其中，所述低介電材料接觸所述第一突起的一個側表面，

其中，所述分隔件的所述第一突起位于所述氣體供給單元上方，

其中，所述氣體供給單元用作產生等離子體的電極，

其中，所述分隔件還包括在所述第一突起和所述導管之間的第二突起，

其中，所述第二突起對稱地形成在所述導管周圍，

其中，提供在所述第一突起和所述第二突起之間的第一低介電材料以及在所述導管和所述第二突起之間的第二低介電材料，并且

其中，在所述分隔件下方的所述氣體供給單元由所述分隔件的所述第一突起和所述第二突起機械支撐。

2.如權利要求1所述的基板處理設備，其中所述低介電材料包括空氣。

3.根據權利要求2所述的基板處理設備，其中，在所述基板處理設備中形成至少一個用于連通所述空氣和外部的路徑。

4.如權利要求3所述的基板處理設備，其中，在所述分隔件與所述導管之間形成所述路徑。

5.如權利要求3所述的基板處理設備，其中，在所述分隔件中形成所述路徑。

6.如權利要求1所述的基板處理設備，其中，所述分隔件包括朝向所述氣體供給單元突出的突起，并且

所述低介電材料接觸所述突起的一個側表面。

7.如權利要求1所述的基板處理設備，其中，所述分隔件包括位于形成有所述通孔的區域中的臺階部，

所述導管包括凸緣，并且

所述導管通過在所述凸緣和所述臺階部之間的聯接而連接到所述分隔件。

8.如權利要求7所述的基板處理設備，其中，在所述臺階部與所述凸緣之間形成有與外部空氣連通的路徑。

9.如權利要求1所述的基板處理設備，還包括布置在所述分隔件和所述氣體供給單元之間的絕緣板。

10.如權利要求9所述的基板處理設備，還包括射頻桿，所述射頻桿通過貫穿所述分隔件的至少一部分和所述絕緣板而連接到所述氣體供給單元。

11.如權利要求1所述的基板處理設備，其中，所述通孔在第一區域中具有第一直徑，并且在所述第一區域的下部中具有比所述第一直徑大的第二直徑。

12.如權利要求11所述的基板處理設備，其中，所述通孔的至少一部分的直徑朝向所述氣體供給單元連續地增加。

13.如權利要求12所述的基板處理設備，其中，所述通孔的至少一部分的側截面輪廓具有鐘形形狀。

14.一種基板處理設備，包括：

包括至少一個通孔的分隔件；

通過所述通孔布置在所述分隔件中的絕緣導管；

連接到所述絕緣導管的氣體供給單元；

布置在所述分隔件和所述氣體供給單元之間的絕緣板；和

通過貫穿所述絕緣板而連接到所述氣體供給單元的射頻桿，

其中所述分隔件包括：

與所述絕緣板接觸的至少一個第一突起；和

與所述絕緣板接觸并布置在所述第一突起和所述絕緣導管之間的至少一個第二突起，

布置在所述第一突起和所述第二突起之間的所述射頻桿，以及

在所述分隔件與所述絕緣板之間、在所述通孔的側壁與所述絕緣導管之間、以及在所述第一突起與所述第二突起之間形成的空氣填充的空間。