[發明專利]晶圓搬運容器及其內的氣氛測量裝置、清洗裝置及方法有效
| 申請號: | 201711326830.3 | 申請日: | 2017-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN108231636B | 公開(公告)日: | 2022-03-15 |
| 發明(設計)人: | 佐佐木睦夫;小番達裕 | 申請(專利權)人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦;黃浩 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 搬運 容器 其內 氣氛 測量 裝置 清洗 方法 | ||
本發明提供一種能夠小型化、且高精度地檢測晶圓搬運容器內的氣氛并進行通信的晶圓搬運容器內氣氛測量裝置,其設置于晶圓搬運容器上并且檢測所述晶圓搬運容器內的氣氛并進行通信,其中,具有:檢測部,其檢測所述晶圓搬運容器內的所述氣氛;發送信息部,其向外部的接收信息部無線發送包含所述檢測部的檢測結果的第1信息;電源部,其向所述檢測部及所述發送信息部供應電力。
技術領域
本發明涉及檢測用于搬運晶圓的晶圓搬運容器內的氣氛的晶圓搬運容器內氣氛測量裝置等。
背景技術
例如在半導體的制造工序中,使用叫做晶圓盒(SMIF)或晶圓傳送盒(FOUP)的搬運容器,進行各處理裝置之間的晶圓的搬運。
在此,為了防止晶圓表面氧化或受到污染,容納有晶圓的搬運容器內的環境優選保持超出了規定的狀態的惰性狀態及清洗度。作為提高搬運容器內的氣體的惰性狀態或清洗度的方法,提出了一種向搬運容器的內部或與搬運容器連通的空間導入清洗氣體的氣體吹掃等技術。另一方面,作為使搬運容器內的清洗度清洗至規定狀態的技術,提出了一種在搬運容器上連接配管,使搬運容器內的氣體在其與外部的環境控制單元之間進行循環,控制晶圓搬運容器內的水分濃度或氧濃度的技術(參照專利文獻1)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:特開2003-347397號公報
發明內容
發明要解決的課題
但是,在將搬運容器內的氣體導出至外部進行控制的現有方法中,除非一次將搬運容器內的氣體導出至外部,否則無法檢測搬運容器內的清洗度。因此,為了檢測搬運容器內的清洗度,清洗度足夠高的容器也好、清洗度低的容器也好,都會產生需要將送容器內的氣體導出至外部的工序的不便,因此期望提高處理的效率。另外,在需要將搬運容器內的氣體導出至外部的配管的現有技術中,小型化比較困難,另外,在將氣體向外部導出期間,有時會與其他的氣體混合,在檢測精度方面也具有課題。
本發明是鑒于這種實際情況而開發的,其目的在于,提供一種能夠小型化且高精度地檢測晶圓搬運容器內的氣氛并進行通信的晶圓搬運容器內氣氛測量裝置。
用于解決課題的技術方案
為了達成上述目的,本發明提供一種晶圓搬運容器內氣氛測量裝置,其設置于晶圓搬運容器并且檢測所述晶圓搬運容器內的氣氛并進行通信,其中,具有:
檢測部,其檢測所述晶圓搬運容器內的所述氣氛;
發送信息部,其將包含所述檢測部的檢測結果的第1信息無線發送給外部的接收信息部;
電源部,其向所述檢測部及所述發送信息部供應電力。
由于本發明的晶圓搬運容器內氣氛測量裝置被設置在晶圓搬運容器,因此即使未將晶圓搬運容器內的氣體導出至晶圓搬運容器的外部,也可以檢測晶圓搬運容器內的氣氛。另外,由于具有將檢測結果進行無線通信的發送信息部,因此,在工廠內處于遠離搬運的晶圓搬運容器的位置的接收信息部,能夠確認晶圓搬運容器內的氣氛的檢測結果,能夠基于此檢測結果,根據需要對晶圓搬運容器實施清洗處理等適當的處理。另外,由于是以無線通信的方式發送數據,因此不需要在晶圓搬運容器內氣氛測量裝置及設置該晶圓搬運容器內氣氛測量裝置的晶圓搬運容器的表面設置用于發送數據的電氣接點,幾乎不會抑制晶圓搬運容器的氣密性或耐久性。
另外,例如,所述電源部還可以具有可以進行充放電的蓄電部和接受來自外部的能量的供應并對所述蓄電部進行充電的接受供應部。
因電源部具有蓄電部和接受供應部,從而,晶圓搬運容器內氣氛測量裝置能夠在適當的時機對蓄電部充電,由此,即使不進行電池的更換等,也能夠持續地進行晶圓搬運容器內的氣氛的檢測和檢測結果的通信。因而,這樣的晶圓搬運容器內氣氛測量裝置能夠大幅度地削減管理電池的壽命的工作,能夠降低電池的管理成本及更換成本。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





