[發明專利]顯示基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201711325127.0
• 申請日: 2017-12-13
• 公開（公告）號: CN108054103B
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發明（設計）人: 胡迎賓;袁廣才;趙策;丁遠奎;程磊磊;李偉;張揚;馬睿
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/44
• 分類號: H01L21/44;H01L21/34;H01L29/786;H01L29/417
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

本發明公開一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置，屬于顯示技術領域。該方法包括：在襯底基板上依次形成柵極、柵絕緣層和半導體層；在形成有半導體層的襯底基板上形成導電材質層；對導電材質層進行刻蝕，得到源漏極層，其中，導電材質層上與半導體層接觸的部位通過干法刻蝕工藝刻蝕。本發明有助于避免刻蝕過程對半導體層的電學特性的影響。本發明用于顯示基板制造。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術

顯示基板是顯示裝置的主要顯示部件，顯示基板按照其結構可以分為刻蝕阻擋層(英文：Etch Stop Layer；簡稱：ESL)結構顯示基板、背溝道刻蝕(英文：Back ChannelEtched；簡稱：BCE)結構顯示基板和頂柵(英文：Top Gate)結構顯示基板。BCE結構顯示基板具有結構簡單等優點，是未來研發的重點方向。

BCE結構顯示基板包括襯底基板，以及，依次設置在襯底基板上的柵極、柵絕緣層(英文：Gate Insulator；簡稱：GI)、半導體層和源漏極金屬層等，源漏極金屬層包括源極和漏極，源極和漏極之間形成有溝道。BCE結構顯示基板在制造時，首先在襯底基板上依次形成柵極、GI和半導體層，然后在形成有半導體層的襯底基板上形成金屬材質層，通過濕法刻蝕工藝對金屬材質層進行刻蝕得到源漏極金屬層。

但是，受濕法刻蝕工藝的刻蝕精度的影響，在對金屬材質層進行刻蝕時，位于金屬材質層下方的半導體層會存在過刻現象(也即是半導體層被刻蝕)，影響半導體層的電學特性。

發明內容

本發明提供一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置，可以避免刻蝕過程對半導體層的電學特性的影響。本發明的技術方案如下：

第一方面，提供一種顯示基板的制造方法，所述方法包括：

在襯底基板上依次形成柵極、柵絕緣層和半導體層；

在形成有所述半導體層的襯底基板上形成導電材質層；

對所述導電材質層進行刻蝕，得到源漏極層，其中，所述導電材質層上與所述半導體層接觸的部位通過干法刻蝕工藝刻蝕。

可選地，所述對所述導電材質層進行刻蝕，得到源漏極層，其中，所述導電材質層上與所述半導體層接觸的部位通過干法刻蝕工藝刻蝕，包括：

通過干法刻蝕工藝對所述導電材質層進行刻蝕，得到源漏極層。

可選地，所述在形成有所述半導體層的襯底基板上形成導電材質層，包括：

采用預設材料在形成有所述半導體層的襯底基板上形成導電材質層，所述預設材料包括金屬鉬、金屬鉭和鎢化鉬中的任意一種。

可選地，所述導電材質層包括至少兩個子導電材質層，所述對所述導電材質層進行刻蝕，得到源漏極層，其中，所述導電材質層上與所述半導體層接觸的部位通過干法刻蝕工藝刻蝕，包括：

通過濕法刻蝕工藝對所述導電材質層中，未與所述半導體層接觸的子導電材質層進行刻蝕；

通過干法刻蝕工藝對所述導電材質層中，與所述半導體層接觸的子導電材質層進行刻蝕，得到源漏極層。

可選地，所述在形成有所述半導體層的襯底基板上形成導電材質層，包括：

在形成有所述半導體層的襯底基板上形成導電材質層，所述導電材質層包括至少兩個子導電材質層，所述至少兩個子導電材質層中與所述半導體層接觸的子導電材質層的形成材料為預設材料，所述預設材料包括金屬鉬、金屬鉭和鎢化鉬中的任意一種。

可選地，所述導電材質層包括三個子導電材質層，所述三個子導電材質層按照靠近所述半導體層到遠離所述半導體層的形成材料依次為金屬鉬、金屬鋁和金屬鉬。