[發(fā)明專利]顯示基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711325127.0
• 申請日: 2017-12-13
• 公開（公告）號: CN108054103B
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡迎賓;袁廣才;趙策;丁遠奎;程磊磊;李偉;張揚;馬睿
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/44
• 分類號: H01L21/44;H01L21/34;H01L29/786;H01L29/417
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

1.一種顯示基板的制造方法，其特征在于，所述顯示基板為背溝道刻蝕BCE結(jié)構(gòu)顯示基板；所述方法包括：

在襯底基板上依次形成柵極、柵絕緣層和半導(dǎo)體層；

在形成有所述半導(dǎo)體層的襯底基板上形成導(dǎo)電材質(zhì)層；

對所述導(dǎo)電材質(zhì)層進行刻蝕，得到源漏極層，其中，所述導(dǎo)電材質(zhì)層上與所述半導(dǎo)體層接觸的部位通過干法刻蝕工藝刻蝕，所述半導(dǎo)體層上各個位置的厚度相等，且所述半導(dǎo)體層上各個位置的導(dǎo)電特性無差異；

其中，所述導(dǎo)電材質(zhì)層包括三個子導(dǎo)電材質(zhì)層，所述三個子導(dǎo)電材質(zhì)層按照靠近所述半導(dǎo)體層到遠離所述半導(dǎo)體層的形成材料依次為金屬鉬、金屬鋁和金屬鉬，按照靠近所述半導(dǎo)體層到遠離所述半導(dǎo)體層的順序，所述三個子導(dǎo)電材質(zhì)層各自厚度的取值范圍分別為和

所述對所述導(dǎo)電材質(zhì)層進行刻蝕，得到源漏極層，其中，所述導(dǎo)電材質(zhì)層上與所述半導(dǎo)體層接觸的部位通過干法刻蝕工藝刻蝕，包括：

通過濕法刻蝕工藝對所述導(dǎo)電材質(zhì)層中，未與所述半導(dǎo)體層接觸的子導(dǎo)電材質(zhì)層進行刻蝕，且對與所述半導(dǎo)體層接觸的子導(dǎo)電材質(zhì)層進行過刻，但不刻透所述導(dǎo)電材質(zhì)層；

通過干法刻蝕工藝對所述導(dǎo)電材質(zhì)層中，與所述半導(dǎo)體層接觸的子導(dǎo)電材質(zhì)層進行刻蝕，并刻透所述導(dǎo)電材質(zhì)層，得到源漏極層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述干法刻蝕工藝的刻蝕氣體為氟化硫氣體和氧氣的混合氣體；或者，

所述干法刻蝕工藝的刻蝕氣體為氟化硫氣體、氧氣和氦氣的混合氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述對所述導(dǎo)電材質(zhì)層進行刻蝕，得到源漏極層，包括：

通過構(gòu)圖工藝對所述導(dǎo)電材質(zhì)層進行處理，得到源漏極層，所述構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離。

4.一種采用權(quán)利要求1至3任一所述的方法制造的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板包括：襯底基板，以及，依次設(shè)置在所述襯底基板上的柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層和源漏極層，所述半導(dǎo)體層上各個位置的厚度相等，且所述半導(dǎo)體層上各個位置的導(dǎo)電特性無差異；

其中，所述源漏極層包括三個子層，所述三個子層按照靠近所述半導(dǎo)體層到遠離所述半導(dǎo)體層的形成材料依次為金屬鉬、金屬鋁和金屬鉬，按照靠近所述半導(dǎo)體層到遠離所述半導(dǎo)體層的順序，所述三個子層各自厚度的取值范圍分別為和

5.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求4所述的顯示基板。