[發明專利]一種金剛線切割多晶硅片的預制絨方法

在審

• 申請號: 201711323884.4
• 申請日: 2017-12-13
• 公開（公告）號: CN108130599A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 范維濤;蘇楊楊;龔小文;胡晨暉;張鑫
• 申請（專利權）人: 維科誠（蘇州）光伏科技有限公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;C30B29/06;H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 汪青;周敏

本發明涉及一種金剛線切割多晶硅片的預制絨方法，采用制絨液對金剛線切割多晶硅片進行處理30~100秒；采用質量濃度為20%~67%的硝酸溶液或者，采用氨水與雙氧水的混合溶液對經步驟（1）處理后的多晶硅片進行處理。本工藝流程簡單，與現有常規多晶電池工藝匹配度高，車間無需進行大規模改動就可以實現；本工藝完成后的硅片直接流入常規多晶制絨工藝，可制備符合產業要求的亞微米級絨面；本工藝在金剛線切割多晶硅片表面制備的絨面與砂漿切割硅片采用酸制絨工藝得到的絨面基本一致，無線痕及晶花問題；本工藝處理金剛線切割多晶硅片得到的絨面反射率可調節，與電池車間產線工藝匹配后可大幅度提高電池片效率。

技術領域

本發明涉及一種金剛線切割多晶硅片的預制絨方法。

背景技術

目前，在太陽能電池的表面為了抑制表面反射而形成微小的凹凸，通過該微小的凹凸，入射光被多次反射，效率良好地吸收于太陽能電池內部，該微小的凹凸叫做紋理。

通常，在單晶硅太陽能電池中，通過使用NaOH、KOH等堿性水溶液和IPA（異丙醇）的濕式蝕刻來形成紋理。該技術由于利用了晶面的刻蝕速度的差，因此在如單晶硅那樣由一個晶面構成晶片的情況下是有效的，但在如多晶硅那樣在面內存在各種各樣的晶面的情況下，不能充分地降低反射率。

因此，正在研究機械加工法及反應性離子刻蝕法等不依賴于晶面方位的紋理形成方法。由于機械加工法中進行單片處理，另外，由于反應性離子刻蝕法盡管能夠集中處理某程度的片數，但使用真空裝置，因此存在耗費處理費用這樣的問題。

因此，CN200780049395.2在現有技術的基礎上進行改進，公開了一種太陽能電池的制造方法，其能夠以簡單的制造工序制造高特性的太陽能電池，其為在硅基板的表面上具有紋理的太陽能電池的制造方法，其具備：第一工序，將硅基板浸漬在含有銀、銅和鎳的離子中至少一種的金屬離子的氧化劑和氫氟酸的混合水溶液中，在該硅基板的表面形成多孔質硅層；第二工序，將經上述第一工序的硅基板表面浸漬在以50%氫氟酸的體積為1時，使60%硝酸的體積為6以上混合而成的混合酸中進行蝕刻而形成紋理；第三工序，用堿性藥液蝕刻經過第二工序的硅基板。但是，首先，該專利方法在實際應用時，在進行第一工序前，需要先用堿除去多晶硅片表面上殘留的切片時的損傷；其次，該專利第一工序、第二工序的處理時間均需達到3分鐘，從而使得處理時間較長。

公開了一種包含倒四棱錐絨面結構的多晶硅片及其在太陽能電池中的應用，該專利制備時，首先需要采用氟化氫和硝酸去除硅片表面損傷層，并且需要配合后續特定工藝進行制絨，最后還需要使用鹽酸和雙氧水再次去除金屬離子。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種工藝時間短、預制絨完成后的硅片可直接流入常規多晶硅制絨工藝的金剛線切割多晶硅片的預制絨方法。

為解決以上技術問題，本發明采取如下技術方案：

本發明的一個目的是提供一種金剛線切割多晶硅片的預制絨方法，包括如下步驟：

步驟（1）、在15℃~30℃下，采用制絨液對金剛線切割多晶硅片進行處理30~100秒以制得絨面；其中，所述的制絨液中含有0.005~0.2mol/L的金屬離子、1~1.5 mol/L的HF、0.9~1.2mol/L的氧化劑；

步驟（2）、采用質量濃度為20%~67%的硝酸溶液對經步驟（1）處理后的多晶硅片進行處理10~80秒以除去多晶硅片表面的金屬離子；或者，采用氨水與雙氧水的混合溶液對經步驟（1）處理后的多晶硅片進行處理，其中，所述的混合溶液中所述的氨水與所述的雙氧水的質量濃度獨立地為20%~40%，所述的混合溶液中所述的氨水與所述的雙氧水的質量濃度比為1：1~2。

優選地，步驟（1）中，所述的金屬離子為選自銀離子、銅離子、鎳離子中的一種或多種。