[發明專利]光刻膠處理方法

在審

• 申請號: 201711323254.7
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN108107673A
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 深圳市晶特智造科技有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/16;G03F7/20
• 代理公司: 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所(普通合伙) 44419
• 代理人: 曹明蘭

本發明提供了一種光刻膠處理方法，所述光刻膠處理方法包括：在半導體襯底表面依次形成第一光刻膠和第二光刻膠，其中所述第二光刻膠覆蓋所述第一光刻膠；采用第一掩膜板對所述第一光刻膠和所述第二光刻膠進行第一次曝光處理，其中被所述第一掩膜板覆蓋的區域為第一掩膜區域；采用第二掩膜板并通過所述第二光刻膠對所述第一光刻膠進行第二次曝光處理，以在所述第一掩膜區域的第一光刻膠邊緣形成曝光開口區域；對所述第一光刻膠和所述第二光刻膠進行顯影處理，形成倒梯形的光刻膠結構。

【技術領域】

本發明涉及半導體芯片制造技術領域，特別地，涉及一種光刻膠處理方法。

【背景技術】

在半導體及微納米加工制造過程中廣泛地應用到到光刻膠。光刻膠在離子注入、刻蝕工藝中可以作為屏蔽層來實現對半導體器件某個膜層的離子注入或者刻蝕處理。一般來說，在離子注入或者刻蝕工藝完成后，需要將光刻膠進行剝離去除。

常用的光刻膠工藝技術主要有以下兩種：

第一種：單層光刻膠技術，其主要通過用甲苯等某種特殊溶液浸泡光刻膠表面，使得光刻膠表面層在顯影時，在顯影液中的溶解度降低，從而形成倒梯形的光刻膠形貌。對于單層光刻膠工藝，一般需要經過甲苯等溶劑處理光刻膠表面，增加了工藝的復雜性，成本也高。而且，即便光刻膠表面經過處理后，顯影時在顯影液中的溶解速度慢一些，但是得到的倒梯形的形貌也很難保證，尤其倒梯形的傾斜程度，無法做的很大。而對于光刻膠的剝離工藝，一般要求倒梯形的傾斜程度越大越好。

第二種：雙層光刻膠技術，其主要通過上下層光刻膠在顯影液中的溶解速度不同，得到倒梯形的光刻膠形貌。不過，由于上下兩層光刻膠在顯影液中的溶解速度不同，也無法保證精確度，無法保證大傾斜角的倒梯形光刻膠形貌。

有鑒于此，有必要提供一種光刻膠處理方法，以解決現有技術存在的上述問題。

【發明內容】

本發明的其中一個目的在于為解決上述問題而提供一種光刻膠處理方法。

本發明提供的光刻膠處理方法，包括：在半導體襯底表面依次形成第一光刻膠和第二光刻膠，其中所述第二光刻膠覆蓋所述第一光刻膠；采用第一掩膜板對所述第一光刻膠和所述第二光刻膠進行第一次曝光處理，其中被所述第一掩膜板覆蓋的區域為第一掩膜區域；采用第二掩膜板并通過所述第二光刻膠對所述第一光刻膠進行第二次曝光處理，以在所述第一掩膜區域的第一光刻膠邊緣形成曝光開口區域；對所述第一光刻膠和所述第二光刻膠進行顯影處理，形成倒梯形的光刻膠結構。

作為在本發明提供的光刻膠處理方法的一種改進，在一種優選實施例中，所述第一光刻膠的第一顯開能量小于所述第二光刻膠的第二顯示能量。

作為在本發明提供的光刻膠處理方法的一種改進，在一種優選實施例中，所述第一次曝光處理采用的第一曝光能量大于所述第一光刻膠的第一顯開能量和所述第二光刻膠的第二顯開能量。

作為在本發明提供的光刻膠處理方法的一種改進，在一種優選實施例中，所述第二次曝光處理采用的第二曝光能量大于所述第一光刻膠的第一顯示能量，但小于所述第二光刻膠的第二顯開能量。

作為在本發明提供的光刻膠處理方法的一種改進，在一種優選實施例中，在所述第一次曝光處理中，所述第一光刻膠和所述第二光刻膠未被所述第一掩膜板覆蓋的第一曝光區域都被有效曝光。

作為在本發明提供的光刻膠處理方法的一種改進，在一種優選實施例中，在所述第二次曝光處理中，所述第一光刻膠在所述第一曝光區域中未被所述第二掩膜板覆蓋的邊緣部分被有效曝光而形成所述曝光開口區域。

作為在本發明提供的光刻膠處理方法的一種改進，在一種優選實施例中，在所述第二次曝光處理中，位于所述曝光開口區域上方的所述第二光刻膠無法被有效曝光。