[發明專利]光刻膠處理方法在審
| 申請號： | 201711323254.7 | 申請日： | 2017-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN108107673A | 公開（公告）日： | 2018-06-01 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00;G03F7/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明蘭 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻膠 掩膜板 曝光處理 掩膜區域 半導體襯底表面 光刻膠邊緣 光刻膠結構 曝光開口 顯影處理 倒梯形 覆蓋 | ||
1.一種光刻膠處理方法，其特征在于，包括：
在半導體襯底表面依次形成第一光刻膠和第二光刻膠，其中所述第二光刻膠覆蓋所述第一光刻膠；
采用第一掩膜板對所述第一光刻膠和所述第二光刻膠進行第一次曝光處理，其中被所述第一掩膜板覆蓋的區域為第一掩膜區域；
采用第二掩膜板并通過所述第二光刻膠對所述第一光刻膠進行第二次曝光處理，以在所述第一掩膜區域的第一光刻膠邊緣形成曝光開口區域；
對所述第一光刻膠和所述第二光刻膠進行顯影處理，形成倒梯形的光刻膠結構。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光刻膠的第一顯開能量小于所述第二光刻膠的第二顯示能量。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一次曝光處理采用的第一曝光能量大于所述第一光刻膠的第一顯開能量和所述第二光刻膠的第二顯開能量。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二次曝光處理采用的第二曝光能量大于所述第一光刻膠的第一顯示能量，但小于所述第二光刻膠的第二顯開能量。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一次曝光處理中，所述第一光刻膠和所述第二光刻膠未被所述第一掩膜板覆蓋的第一曝光區域都被有效曝光。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述第二次曝光處理中，所述第一光刻膠在所述第一曝光區域中未被所述第二掩膜板覆蓋的邊緣部分被有效曝光而形成所述曝光開口區域。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在所述第二次曝光處理中，位于所述曝光開口區域上方的所述第二光刻膠無法被有效曝光。
8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二掩膜板的尺寸小于所述第一掩膜板，且所述第二掩膜板的中心與所述第一掩膜區域的中心相對準。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的方法，其特征在于，還包括：基于所述倒梯形的光刻膠結構，在所述半導體襯底表面形成金屬層。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，還包括：對所述倒梯形的光刻膠結構進行剝離處理，以使所述半導體襯底表面形成金屬圖案。
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