[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201711321445.X
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN108695377A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 趙南奎;權臺純;林青美;李正允
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;B82Y40/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;薛義丹

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

鰭型有源區，從基底突出并且在第一方向上延伸；

至少一個納米片，與鰭型有源區的上表面分隔開并且面對鰭型有源區的上表面，所述至少一個納米片具有溝道區；

柵極，在鰭型有源區上沿與第一方向交叉的第二方向延伸并且圍繞所述至少一個納米片的至少一部分；

源/漏區，在所述至少一個納米片的兩側上位于鰭型有源區上；

源極/漏極保護層，位于所述至少一個納米片的側壁上并且位于源/漏區與所述至少一個納米片之間。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，源極/漏極保護層包括再生長層，所述再生長層在所述至少一個納米片的側壁上再生長。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，源極/漏極保護層設置在片凹進區中，所述片凹進區從外間隔件的限定所述至少一個納米片的側壁沿第一方向凹進。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，源極/漏極保護層還沿第一方向設置在源/漏區與柵極之間。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，內間隔件還設置在源/漏區與柵極之間并且設置在納米片之間。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，源極/漏極保護層還沿第一方向設置在內間隔件與柵極之間。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，源極/漏極保護層還在內間隔件的一側上設置在內間隔件與納米片之間。

8.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，內間隔件設置在從納米片的側壁沿第一方向凹進的凹進區中。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，內間隔件沿第一方向以朝向柵極的凸的形狀突出。

10.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，源極/漏極保護層和內間隔件形成為單個單元。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，柵極包括主柵極部分和多個子柵極部分，所述主柵極部分在所述至少一個納米片上沿垂直于第一方向的方向具有第一厚度，所述多個子柵極部分在垂直于第一方向的所述方向上具有第二厚度并且設置在所述至少一個納米片與鰭型有源區之間，第二厚度比第一厚度小。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中，所述多個子柵極部分之中最下面的子柵極部分的厚度比其它子柵極部分的厚度大。

13.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中，緩沖半導體層設置在所述多個子柵極部分之中靠近鰭型有源區的子柵極部分的兩個側壁上。

14.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

基底，具有有源區；

至少一個納米片堆疊結構，與有源區的上表面分隔開并且面對有源區的上表面，所述至少一個納米片堆疊結構包括多個納米片，所述多個納米片均具有溝道區；

柵極，在有源區上延伸以與有源區交叉并且覆蓋所述至少一個納米片堆疊結構，其中，柵極包括位于所述至少一個納米片堆疊結構上的主柵極部分和設置在所述多個納米片中的每個納米片下方的子柵極部分；

柵極絕緣層，位于所述至少一個納米片堆疊結構與柵極之間；

源/漏區，在所述至少一個納米片堆疊結構的兩側上位于有源區上；

外間隔件，位于所述多個納米片上并覆蓋主柵極部分的側壁；

內間隔件，位于源/漏區與柵極之間，并且位于所述多個納米片之間；

源極/漏極保護層，位于所述至少一個納米片堆疊結構的側壁上并且位于源/漏區與所述至少一個納米片堆疊結構之間。