[發(fā)明專利]晶圓標記方法及晶圓標記系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711320766.8
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN108122801B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪思;何祥永
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發(fā)明涉及晶圓標記方法及晶圓標記系統(tǒng)，將光學掃描所獲取的缺陷按照風險程度的不同進行區(qū)分，其中，風險程度高的特殊缺陷引起的所述晶圓的不合格程度高于風險程度低的一般缺陷，計算得到特殊缺陷所在die周邊n圈的die的坐標，并且對一般缺陷所在die、特殊缺陷所在die以及位于所述特殊缺陷所在die周邊n圈的die進行標記。使用本發(fā)明提供的晶圓標記方法及晶圓標記系統(tǒng)，免去了人工判斷缺陷的類型和分布，可以極大的提高工作效率；通過對具有潛在的不合格風險但未被光學掃描獲取的缺陷所對應(yīng)的虛擬die進行標記，可以降低晶圓上仍存在不合格die的潛在風險。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及晶圓標記方法及晶圓標記系統(tǒng)。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制程中，為了在晶圓(或半導(dǎo)體基板)上實現(xiàn)電路功能，通常會在該晶圓上進行多個制造工序，例如包括淀積金屬或非金屬材料，利用光刻工藝在各層材料上制作圖案，以及離子注入、退火等。為了確保每一制程的結(jié)果均能符合預(yù)先設(shè)計上的要求，則必須進行電路功能或物理結(jié)構(gòu)上的檢測。

一般來說，在晶圓制作集成電路的過程中，為了工藝制作的方便，晶圓會被區(qū)分為若干個shot(曝光場)，其在晶圓上是周期性重復(fù)排列的。每一個基本的shot單元中，又包含有一個或者兩個以上的芯片(chip)。在晶圓上的集成電路全部制作完成之后，晶圓上會形成多個具有半導(dǎo)體電路功能的芯片。隨著晶圓尺寸增大及芯片尺寸縮小，一片晶圓上可具有數(shù)千個相同或不同的芯片。由于制程設(shè)計或材料本身的特性等原因，制造完成后的芯片包括正常芯片及缺陷(defect)芯片，因而需要進行缺陷檢測。

通常對晶圓進行檢測時，會按照芯片的排列將晶圓劃分成一個個二維規(guī)則排列的測試單元，一個測試單元定義為一個die(晶格)，每個die中都包含一個獨立的能夠?qū)崿F(xiàn)預(yù)定功能的集成電路，通常一個die里面包括一顆芯片，其是進行封裝和測試的基本單元。將die在晶圓上的分布情況作成晶格分布圖(die map)，每個die在晶格分布圖中對應(yīng)于一虛擬die以及一坐標(例如位于晶格分布圖的第幾排第幾列)，測試程序根據(jù)此坐標(第幾排第幾列)以及間距(排與排之間的間距，列與列之間的間距)可以準確地定位不同的die。這種晶格分布圖亦稱為晶圓圖(wafer map)。

一種利用晶圓圖檢測晶圓缺陷的方法是，利用自動光學掃描(auto scan)機臺對晶圓上光學可見(與自動掃描機臺的分辨率相關(guān))的缺陷進行定位，得到所獲取的缺陷所在die的坐標信息，隨后自動標記(auto ink)機臺在晶格分布圖中對所述缺陷所在die所對應(yīng)的虛擬die進行標記(ink)，例如將晶圓圖上對應(yīng)的虛擬die標記為紅色或其他顏色。當晶圓被送至封裝廠進行封裝(packaging)時，會經(jīng)過切割(saw)以及上片或粘貼(die bond)，并且會按照經(jīng)過標記的晶圓圖對所述晶圓上的die進行選擇，例如如果是在晶圓圖中做過標記的die，則以次品處理或直接舍棄。通過選擇的die進入下一工序，最后得到封裝之后的芯片。

申請人研究發(fā)現(xiàn)，對形成晶圓圖的晶圓進行檢測時，通過光學掃描所獲取的缺陷對晶圓的影響程度不同，如果不加區(qū)分，難以了解所獲取的缺陷對晶圓的影響程度。另外特別是，某些特殊缺陷周邊n圈的die也存在潛在的不合格風險，需要進行標記，但是目前的自動標記機臺僅對獲取的缺陷所在die所對應(yīng)的虛擬die進行標記，對于未被光學掃描機臺獲取但也存在潛在的不合格風險的die，還需要人工進行判斷，并逐一在晶圓圖中對所對應(yīng)的虛擬die進行標記，效率較低且容易出錯。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是在晶圓圖中對具有不同風險程度的缺陷所對應(yīng)的虛擬die進行自動標記。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種晶圓標記方法，用于標記一晶圓，所述晶圓上分布有重復(fù)排列的die，所述晶圓對應(yīng)有一晶圓圖，所述晶圓圖包括多個重復(fù)排列的虛擬die，所述晶圓圖中的虛擬die與所述晶圓上的die一一對應(yīng)，每對互相對應(yīng)的die和虛擬die在所述晶圓圖中具有相同的坐標，其特征在于，所述晶圓標記方法包括：