[發(fā)明專利]晶圓標(biāo)記方法及晶圓標(biāo)記系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711320766.8
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號(hào): CN108122801B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪思;何祥永
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種晶圓標(biāo)記方法，用于標(biāo)記一晶圓，所述晶圓上分布有重復(fù)排列的die，所述晶圓對應(yīng)一晶圓圖，所述晶圓圖包括多個(gè)重復(fù)排列的虛擬die，所述晶圓圖中的虛擬die與所述晶圓上的die一一對應(yīng)，每對互相對應(yīng)的die和虛擬die在所述晶圓圖中具有相同的坐標(biāo)，其特征在于，所述晶圓標(biāo)記方法包括：

對所述晶圓表面進(jìn)行光學(xué)掃描，獲取一個(gè)或多個(gè)缺陷的信息，所述缺陷均為光學(xué)缺陷且包括一般缺陷和/或特殊缺陷，其中，位于所述特殊缺陷所在die周邊n圈的die為不合格的風(fēng)險(xiǎn)大于位于所述一般缺陷所在die周邊n圈的die為不合格的風(fēng)險(xiǎn)；

計(jì)算得到位于所述特殊缺陷所在die周邊n圈的die的坐標(biāo)；以及

將所述一般缺陷所在die、所述特殊缺陷所在die以及位于所述特殊缺陷所在die周邊n圈的die作為待標(biāo)記的die，并對所述待標(biāo)記的die對應(yīng)的虛擬die進(jìn)行標(biāo)記，其中n為正整數(shù)，其中，根據(jù)優(yōu)先級不同對所述一般缺陷和所述特殊缺陷進(jìn)行標(biāo)記，所述特殊缺陷的優(yōu)先級高于所述一般缺陷的優(yōu)先級，對于多個(gè)所述特殊缺陷，n的值越大，所對應(yīng)的特殊缺陷的優(yōu)先級越高；若所述特殊缺陷所在die在所述晶圓圖中的坐標(biāo)為(x,y)，則位于所述特殊缺陷所在die周邊n圈的die的坐標(biāo)為：

集合{(X,Y)|X∈(x,x±1,……x±n),Y∈(y,y±1,……y±n)，并且(X,Y)≠(x,y)}，并且，(X,Y)在所述晶圓圖的坐標(biāo)范圍內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓標(biāo)記方法，其特征在于，所述缺陷包括氣泡缺陷。

3.如權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述的晶圓標(biāo)記方法，其特征在于，使用不同的顏色標(biāo)記所述待標(biāo)記的die對應(yīng)的虛擬die。

4.如權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述的晶圓標(biāo)記方法，其特征在于，每個(gè)所述虛擬die最多被標(biāo)記一次。

5.一種晶圓標(biāo)記系統(tǒng)，用于標(biāo)記一晶圓，所述晶圓上分布有重復(fù)排列的die，所述晶圓對應(yīng)一晶圓圖，所述晶圓圖包括多個(gè)重復(fù)排列的虛擬die，所述晶圓圖中的虛擬die與所述晶圓上的die一一對應(yīng)，每對互相對應(yīng)的die和虛擬die在所述晶圓圖中具有相同的坐標(biāo)，其特征在于，包括：

掃描模塊，用于對所述晶圓表面進(jìn)行掃描以便獲取缺陷的信息，所述缺陷均為光學(xué)缺陷；以及

標(biāo)記模塊，用于得到所述缺陷中的一般缺陷和/或特殊缺陷，將所述一般缺陷所在die、所述特殊缺陷所在die以及位于所述特殊缺陷所在die周邊n圈的die作為待標(biāo)記的die，并對所述待標(biāo)記的die對應(yīng)的虛擬die進(jìn)行標(biāo)記，其中，位于所述特殊缺陷所在die周邊n圈的die為不合格的風(fēng)險(xiǎn)大于位于所述一般缺陷所在die周邊n圈的die為不合格的風(fēng)險(xiǎn)，n為正整數(shù)；

所述標(biāo)記模塊包括分類單元，所述分類單元用于根據(jù)風(fēng)險(xiǎn)程度不同獲得所述缺陷中的一般缺陷和/或特殊缺陷，并根據(jù)優(yōu)先級不同對所述一般缺陷和所述特殊缺陷進(jìn)行標(biāo)記，所述特殊缺陷的優(yōu)先級高于所述一般缺陷的優(yōu)先級，對于多個(gè)所述特殊缺陷，n的值越大，所對應(yīng)的特殊缺陷的優(yōu)先級越高。

6.如權(quán)利要求5所述的晶圓標(biāo)記系統(tǒng)，其特征在于，所述標(biāo)記模塊包括：

計(jì)算單元，用于計(jì)算位于所述特殊缺陷所在die周邊n圈的die的坐標(biāo)；以及

標(biāo)記單元，對所述待標(biāo)記的die對應(yīng)的虛擬die進(jìn)行標(biāo)記。

7.如權(quán)利要求6所述的晶圓標(biāo)記系統(tǒng)，其特征在于，若多個(gè)所述缺陷對應(yīng)于所述晶圓圖中同一die，則根據(jù)其中優(yōu)先級最高的缺陷信息對所述同一die進(jìn)行標(biāo)記。

8.如權(quán)利要求5所述的晶圓標(biāo)記系統(tǒng)，其特征在于，所述標(biāo)記模塊還包括：存儲(chǔ)單元，用于保存所述缺陷的信息和所述待標(biāo)記的die的坐標(biāo)。