[發(fā)明專利]降低非固體電解質(zhì)鉭電容漏電流值的方法以及制備非固體電解質(zhì)鉭電容的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711319318.6 | 申請日: | 2017-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN108091491A | 公開(公告)日: | 2018-05-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 曾金萍;潘齊鳳;肖毅;王成興;李傳龍;張勇;蒙林斌;吳疆;艾文娟;陳果 | 申請(專利權(quán))人: | 中國振華(集團(tuán))新云電子元器件有限責(zé)任公司(國營第四三二六廠) |
| 主分類號: | H01G9/145 | 分類號: | H01G9/145;H01G9/048;H01G9/052 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王文紅 |
| 地址: | 550000 貴州省*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 非固體電解質(zhì) 鉭電容 施加電流 漏電流 非固體電解質(zhì)鉭電容器 升壓 總電流 制備 浸潤 施加 制造 | ||
本發(fā)明涉及于非固體電解質(zhì)鉭電容器制造技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種降低非固體電解質(zhì)鉭電容漏電流值的方法以及制備非固體電解質(zhì)鉭電容的方法。降低非固體電解質(zhì)鉭電容漏電流值的方法,包括以下步驟:依次進(jìn)行自然浸潤和分次施加電流,第一施加電流為升壓總電流的5?15%,第二次施加電流是以5?30分鐘施加升壓總電流的10?20%的速率施加電流。該方法能夠有效的降低了非固體電解質(zhì)鉭電容器形成后漏電流值,提高了產(chǎn)品的可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及于非固體電解質(zhì)鉭電容器制造技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種降低非固體電解質(zhì)鉭電容漏電流值的方法以及制備非固體電解質(zhì)鉭電容的方法。
背景技術(shù)
鉭電解電容器由于其體積小、容量大、漏電流小、低損耗、壽命長等諸多優(yōu)異性能而被廣泛的應(yīng)用于各種民用和軍用電子產(chǎn)品中。隨著工業(yè)革命的發(fā)展和深入,對元器件的精度要求越來越嚴(yán)格,主要朝著小型化,輕型化,高壓大容量的方向發(fā)展,這為鉭電容器的技術(shù)突破提出了更大的挑戰(zhàn),陽極鉭塊是鉭電容器的心臟,只有有了高質(zhì)量的陽極鉭塊,才能讓鉭電容的壽命和可靠性有所保障,在鉭電容器的生產(chǎn)過程中,陽極鉭塊形成后的參數(shù)的大小往往直接關(guān)系到產(chǎn)品的質(zhì)量,特別是形成后的漏電流值的大小,直接關(guān)系到形成后氧化膜的可靠性,因此,減低鉭電容器形成后的漏電流值也是鉭電容器生產(chǎn)廠家不懈努力的方向。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種降低非固體電解質(zhì)鉭電容漏電流值的方法,該方法能夠有效的降低了非固體電解質(zhì)鉭電容器形成后漏電流值,提高了產(chǎn)品的可靠性。
本發(fā)明還提供一種制備非固體電解質(zhì)鉭電容的方法,該制備方法操作簡單,制備得到的鉭電容的漏電流值低。
本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的:
一種降低非固體電解質(zhì)鉭電容漏電流值的方法,包括以下步驟:
依次進(jìn)行自然浸潤和分次施加電流,第一施加電流為升壓總電流的5-15%,第二次施加電流是以5-30分鐘施加升壓總電流的10-20%的速率施加電流。
一種制備非固體電解質(zhì)鉭電容的方法,其包括上述的降低非固體電解質(zhì)鉭電容漏電流值的方法。
本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明在產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝允許的范圍內(nèi),通過改變陽極鉭塊的浸潤方式和時間、加流過程,實(shí)施過程分段加流以及控制溶液溫度等方式,有效的降低了非固體電解質(zhì)鉭電容器形成后漏電流值,提高了產(chǎn)品的可靠性。為市場的對該類型產(chǎn)品高可靠性要求提供了生產(chǎn)制造保障。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。實(shí)施例中未注明具體條件者,按照常規(guī)條件或制造商建議的條件進(jìn)行。所用試劑或儀器未注明生產(chǎn)廠商者,均為可以通過市售購買獲得的常規(guī)產(chǎn)品。
下面對本發(fā)明實(shí)施例的降低非固體電解質(zhì)鉭電容漏電流值的方法以及制備非固體電解質(zhì)鉭電容的方法進(jìn)行具體說明。
一種降低非固體電解質(zhì)鉭電容漏電流值的方法,具體地,包括以下步驟:
S1、選料;
選擇用于陽極鉭塊成型的鉭粉,鉭粉的比容為5000-70000μF·V/g,金屬鉭粉末可以在粉表面生成的致密氧化膜具有單向?qū)щ姷拈y金屬性質(zhì),而采用比容為5000-70000μF·V/g的鉭粉粉末較細(xì),表面積較大,能夠保證燒結(jié)后具有較高的活化程度,且防止燒結(jié)形成的孔隙閉合,也減小表面積的損失,繼而使得燒結(jié)后得到陽極鉭塊具有良好的微孔結(jié)構(gòu),繼而有利于后續(xù)氧化膜的形成。
S2、燒結(jié);
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