[發(fā)明專利]降低非固體電解質鉭電容漏電流值的方法以及制備非固體電解質鉭電容的方法

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• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN108091491A
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發(fā)明（設計）人: 曾金萍;潘齊鳳;肖毅;王成興;李傳龍;張勇;蒙林斌;吳疆;艾文娟;陳果
• 申請（專利權）人: 中國振華（集團）新云電子元器件有限責任公司（國營第四三二六廠）
• 主分類號: H01G9/145
• 分類號: H01G9/145;H01G9/048;H01G9/052
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 王文紅

1.一種降低非固體電解質鉭電容漏電流值的方法，其特征在于，包括以下步驟：

依次進行自然浸潤和分次施加電流，第一施加電流為升壓總電流的5-15％，第二次施加電流是以5-30分鐘施加升壓總電流的10-20％的速率施加電流。

2.根據權利要求1所述的降低非固體電解質鉭電容漏電流值的方法，其特征在于，第一次施加電流的時間為30-120分鐘。

3.根據權利要求1所述的降低非固體電解質鉭電容漏電流值的方法，其特征在于，自然浸潤是將陽極鉭塊在溫度為60-85℃形成液中浸潤30-120分鐘。

4.根據權利要求3所述的降低非固體電解質鉭電容漏電流值的方法，其特征在于，所述形成液是磷酸、乙二醇和水按照體積比為1:45-55:5-15的比例混合后得到的混合液。

5.根據權利要求3所述的降低非固體電解質鉭電容漏電流值的方法，其特征在于，所述陽極鉭塊是將鉭粉經過燒結后得到的電極。

6.根據權利要求5所述的降低非固體電解質鉭電容漏電流值的方法，其特征在于，燒結是將所述鉭粉在1200-2050℃的環(huán)境下煅燒10-60分鐘。

7.根據權利要求5所述的降低非固體電解質鉭電容漏電流值的方法，其特征在于，燒結是以5-30℃/分鐘的升溫速率進行升溫，燒結完成后以20-50℃/分鐘的降溫速率進行降溫冷卻。

8.根據權利要求5-7任一項所述的降低非固體電解質鉭電容漏電流值的方法，其特征在于，所述鉭粉的比容為5000-70000μF·V/g。

9.根據權利要求1所述的降低非固體電解質鉭電容漏電流值的方法，其特征在于，分次施加電流至額定電壓后降低電流，降低電流至所述升壓總電流的50-80％。

10.一種制備非固體電解質鉭電容的方法，其特征在于，其包括權利要求1所述的降低非固體電解質鉭電容漏電流值的方法。