[發(fā)明專利]電容器裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711319229.1
• 申請(qǐng)日: 2015-06-25
• 公開（公告）號(hào): CN107967995B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林鐘鳳;李海峻;金斗永;金昶勛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01G4/33
• 分類號(hào): H01G4/33;H01G4/30;H01G4/005;H01G4/232
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 馬金霞;包國(guó)菊

1.一種電容器裝置，包括：

主體部，包括第一過(guò)孔、第二過(guò)孔以及層壓在主體部中的多個(gè)介電層；

多個(gè)第一內(nèi)部電極層，設(shè)置在所述多個(gè)介電層上并通過(guò)第二過(guò)孔彼此連接；

多個(gè)第二內(nèi)部電極層，設(shè)置在所述多個(gè)介電層上并通過(guò)第一過(guò)孔彼此連接，

其中，第一過(guò)孔的一個(gè)端部和第二過(guò)孔的一個(gè)端部在層壓方向上位于同一層中，第一過(guò)孔的另一個(gè)端部和第二過(guò)孔的另一個(gè)端部在所述層壓方向上位于同一層中，

其中，所述第一內(nèi)部電極層包括設(shè)置在所述第一內(nèi)部電極層的一個(gè)邊緣處的第一絕緣區(qū)域，所述第二內(nèi)部電極層包括設(shè)置在所述第二內(nèi)部電極層的一個(gè)邊緣處的第二絕緣區(qū)域，所述第一絕緣區(qū)域?yàn)榈谝徊郏龅诙^緣區(qū)域?yàn)榈诙郏?/p>

其中，所述第一內(nèi)部電極層覆蓋除了所述第一槽之外的所述介電層的整個(gè)區(qū)域，所述第二內(nèi)部電極層覆蓋除了所述第二槽之外的所述介電層的整個(gè)區(qū)域，

其中，所述第一內(nèi)部電極層和所述第二內(nèi)部電極層以及所述介電層通過(guò)沉積方法形成，在沉積所述第一內(nèi)部電極層和所述第二內(nèi)部電極層之后不對(duì)所述第一內(nèi)部電極層和所述第二內(nèi)部電極層進(jìn)行圖案化工藝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器裝置，其中，第一過(guò)孔和第二過(guò)孔貫穿主體部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器裝置，其中，第一過(guò)孔形成在第一絕緣區(qū)域中并且貫穿所述多個(gè)第二內(nèi)部電極層和所述多個(gè)介電層，第二過(guò)孔形成在第二絕緣區(qū)域中并且貫穿所述多個(gè)第一內(nèi)部電極層和所述多個(gè)介電層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器裝置，其中，第一絕緣區(qū)域和第二絕緣區(qū)域被設(shè)置為彼此不重疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器裝置，其中，第一絕緣區(qū)域和第二絕緣區(qū)域被設(shè)置為彼此相對(duì)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容器裝置，其中，第一絕緣區(qū)域和第二絕緣區(qū)域沿水平方向或沿豎直方向彼此對(duì)稱。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容器裝置，其中，第一絕緣區(qū)域和第二絕緣區(qū)域沿對(duì)角線方向彼此對(duì)稱。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器裝置，其中，第一絕緣區(qū)域和第二絕緣區(qū)域形成為具有四邊形形狀、三角形形狀和圓形形狀中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器裝置，其中，第一絕緣區(qū)域的面積具有在第一絕緣區(qū)域的面積比第一過(guò)孔的水平截面面積大的范圍內(nèi)的最小值，第二絕緣區(qū)域的面積具有在第二絕緣區(qū)域的面積比第二過(guò)孔的水平截面面積大的范圍內(nèi)的最小值。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器裝置，其中，第一絕緣區(qū)域和第二絕緣區(qū)域形成為具有相同的形狀。

11.一種電容器裝置，包括：

主體部，包括第一過(guò)孔、第二過(guò)孔以及層壓在主體部中的多個(gè)介電層；

多個(gè)第一內(nèi)部電極層，設(shè)置在所述多個(gè)介電層上并通過(guò)第二過(guò)孔彼此連接；

多個(gè)第二內(nèi)部電極層，設(shè)置在所述多個(gè)介電層上并通過(guò)第一過(guò)孔彼此連接，

其中，第一過(guò)孔和第二過(guò)孔貫穿主體部，

其中，所述第一內(nèi)部電極層包括設(shè)置在所述第一內(nèi)部電極層的一個(gè)邊緣處的第一絕緣區(qū)域，所述第二內(nèi)部電極層包括設(shè)置在所述第二內(nèi)部電極層的一個(gè)邊緣處的第二絕緣區(qū)域，所述第一絕緣區(qū)域?yàn)榈谝徊郏龅诙^緣區(qū)域?yàn)榈诙郏?/p>

其中，所述第一內(nèi)部電極層覆蓋除了所述第一槽之外的所述介電層的整個(gè)區(qū)域，所述第二內(nèi)部電極層覆蓋除了所述第二槽之外的所述介電層的整個(gè)區(qū)域，

其中，所述第一內(nèi)部電極層和所述第二內(nèi)部電極層以及所述介電層通過(guò)沉積方法形成，在沉積所述第一內(nèi)部電極層和所述第二內(nèi)部電極層之后不對(duì)所述第一內(nèi)部電極層和所述第二內(nèi)部電極層進(jìn)行圖案化工藝。