[發明專利]使用光學鄰近效應修正模型產生光掩模的方法

在審

• 申請號: 201711318482.5
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN109917615A
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發明（設計）人: 蔡佳君;杜佳峰
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

一種使用光學鄰近效應修正模型產生光掩模的方法，包括提供測試光掩模，該測試光掩模具有特征四邊形，依照尺寸與長寬比的變化而不同。對該特征四邊形的每一個角落加入多種不同的襯線圖案。使用具有襯線圖案的每一個該測試光掩模，在晶片上形成多個測試圖案。測量與統計分析該多個測試圖案的至少一個幾何參數，以決定出一特定襯線圖案給每一個該測試光掩模的該角落。建立光學鄰近效應修正模型，包括每一個該測試光掩模在該角落的該特定襯線圖案。接收一數據庫布局圖案。使用光學鄰近效應修正模型產生第一數據庫布局圖案。執行光學鄰近效應修正流程，以對該第一數據庫布局圖案最佳化成第二數據庫布局圖案。根據第二數據庫布局圖案產生光掩模。

技術領域

本發明涉及一種半導體制造技術，且特別是關于使用光學鄰近效應修正模型產生光掩模的方法。光學鄰近效應修正(optical proximity correction)，也下也簡稱為OPC。

背景技術

半導體元件的結構的形成一般需要光刻與蝕刻的程序來達成，其中光刻技術需要具有圖案的光掩模，利用光源將圖案轉移到晶片上的結構層，來形成蝕刻掩模。再以蝕刻掩模，對結構層蝕刻而完成所要的結構。

隨著半導體集成電路的尺寸的日漸縮小的趨勢，其中的半導體元件的尺寸也對應縮小。相對應的需求，要產生其所包含的微小結構的光掩模，其圖案也要縮小。然而基于光學繞射的效應，當從光掩模的圖案被轉到晶片上時會變形，其中例如直角形狀的角落無可避免會被弧形化，而趨向圓形角落。

為了微小結構能構更準確地在晶片上完成，其理想的光掩模圖案會利用OPC的機制進修正，其中理想光掩模圖案會被轉移到晶片，且對晶片上的圖案的關鍵尺寸進行測量，而得到對光掩模圖案所需要的修正。

然而當光掩模的圖案是二維分布時，測量關鍵尺寸會有較大誤差。這種誤差會影響OPC模型的建立，導致最后即使通過OPC對實際用于生產的光掩模的圖案做修正，其OPC模型也存在有不可忽略的誤差。

因此，如何建立較佳的OPC模型是技術研發中所需要考慮的課題其一，以期能對光掩模圖案做更準確的修正效果。

發明內容

本發明是關于使用OPC模型產生光掩模的方法，利用對對OPC模型的改良，可以有較大的測量準確度，使得光掩模的圖案，通過OPC模型會有較佳的準確度。

依據本發明一實施例，一種使用光學鄰近效應修正模型產生光掩模的方法，包括提供測試光掩模，所述測試光掩模具有特征四邊形，依照尺寸與長寬比的變化而不同。對所述特征四邊形的每一個角落加入多種不同的襯線圖案。使用具有所述襯線圖案的每一個所述測試光掩模，在晶片上形成多個測試圖案。測量與統計分析所述多個測試圖案的至少一個幾何參數，以決定出一特定襯線圖案給每一個所述測試光掩模的所述角落。建立光學鄰近效應修正模型，包括每一個所述測試光掩模在所述角落的所述特定襯線圖案。接收一數據庫布局圖案。使用所述光學鄰近效應修正模型產生第一數據庫布局圖案。執行光學鄰近效應修正流程，以對所述第一數據庫布局圖案最佳化成第二數據庫布局圖案。根據所述第二數據庫布局圖案產生光掩模。

依據本發明一實施例，對于所述的方法，所述襯線圖案的變化是對應所述特征四邊形的所述尺寸與所述長寬比而變化。

依據本發明一實施例，對于所述的方法，所述襯線圖案至少一層的結構。

依據本發明一實施例，對于所述的方法，所述襯線圖案是單層。

依據本發明一實施例，對于所述的方法，所述襯線圖案是雙層。

依據本發明一實施例，對于所述的方法，所述述特征四邊形是正方形或是長方形，所述襯線圖案包含直角彎折結構，與所述角落密合。

依據本發明一實施例，對于所述的方法，所述襯線圖案的變化包括綜合線寬與線長的多種不同變化。

依據本發明一實施例，對于所述的方法，所述特征四邊形包含不同的多個長方形。