[發明專利]使用光學鄰近效應修正模型產生光掩模的方法在審
| 申請號： | 201711318482.5 | 申請日： | 2017-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN109917615A | 公開（公告）日： | 2019-06-21 |
| 發明（設計）人： | 蔡佳君;杜佳峰 | 申請（專利權）人： | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/36 | 分類號： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光學鄰近效應修正 測試光掩模 布局圖案 線圖案 數據庫 模型產生 光掩模 測試圖案 幾何參數 統計分析 長寬比 最佳化 晶片 測量 | ||
1.一種使用光學鄰近效應修正模型產生光掩模的方法，其特征在于，包括:
提供測試光掩模，所述測試光掩模具有特征四邊形，依照尺寸與長寬比的變化而不同；
對所述特征四邊形的每一個角落加入多種不同的襯線圖案；
使用具有所述襯線圖案的每一個所述測試光掩模，在晶片上形成多個測試圖案；
測量與統計分析所述多個測試圖案的至少一個幾何參數，以決定出一特定襯線圖案給每一個所述測試光掩模的所述角落；
建立光學鄰近效應修正模型，包括每一個所述測試光掩模在所述角落的所述特定襯線圖案；
接收一數據庫布局圖案；
使用所述光學鄰近效應修正模型產生第一數據庫布局圖案；
執行光學鄰近效應修正流程，以對所述第一數據庫布局圖案最佳化成第二數據庫布局圖案；以及
根據所述第二數據庫布局圖案產生光掩模。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯線圖案的變化是對應所述特征四邊形的所述尺寸與所述長寬比而變化。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述襯線圖案至少一層的結構。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述襯線圖案是單層。
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述襯線圖案是雙層。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述述特征四邊形是正方形或是長方形，所述襯線圖案包含直角彎折結構，與所述角落密合。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯線圖案的變化包括綜合線寬與線長的多種不同變化。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述特征四邊形包含不同的多個長方形。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述多個長方形的每一個的所述每一個角落，加入多種不同的所述襯線圖案。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述特征四邊形包含不同形狀的正方形。
11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述多個正方形的每一個的所述每一個角落，加入多種不同的所述襯線圖案。
12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在提供測試光掩模的所述步驟中，所述測試光掩模的所述特征四邊形的數量是多個，以二維方式分布。
13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一個幾何參數包括所述特征四邊形在預定位置的橫截寬度。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
