[發明專利]一種硅異質結太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請號: 201711314000.9
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN108054220A
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 傅林堅;沈文杰;谷士斌;任明沖;侯洪濤;周學謙;宋元恒;蔡蔚
• 申請（專利權）人: 浙江晶盛機電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司 33212
• 代理人: 周世駿

1.一種硅異質結太陽能電池，包括位于中間層的硅片、覆蓋在硅片兩側的非晶硅層，以及覆蓋在非晶硅層表面的透明導電膜層；其特征在于，該太陽能電池還包括若干個同時貫通硅片、非晶硅層和透明導電膜層的通孔，在通孔中填充有導電材料，導電材料與兩側的透明導電膜層之間絕緣；在正面的透明導電膜層上僅設置細柵電極，在背面的透明導電膜層上同時設置細柵電極和主柵電極，所述通孔中的導電材料同時連接正面的細柵線和背面的主柵電極，但不與背面的細柵電極相連。

2.根據權利要求1所述的硅異質結太陽能電池，其特征在于，所述通孔的孔徑在100um-5mm之間，單個電池片上的開孔數量在2-100個之間。

3.根據權利要求1所述的硅異質結太陽能電池，其特征在于，所述通孔的橫截面形狀是圓形、方形或三角形。

4.根據權利要求1所述的硅異質結太陽能電池，其特征在于，所述通孔與背面的細柵電極的間距大于5um。

5.一種制備權利要求1所述硅異質結太陽能電池的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)按照預設的位置和數量，在硅片上打孔；

(2)在打孔后的硅片的正面和背面分別沉積非晶硅，形成非晶硅層；

(3)在正面和背面的非晶硅層上分別沉積透明導電膜，形成透明導電膜層；

(4)對硅片上的通孔進行防短路處理，然后向通孔中填入導電材料；

(5)在正面的透明導電膜層上布置細柵電極，在背面的透明導電膜層上布置細柵電極和主柵電極，使通孔中的導電材料同時連接正面的細柵線和背面的主柵電極，但不與背面的細柵電極相連。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟(1)中的打孔是使用激光打孔。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在步驟(1)完成之后，先對硅片進行堿腐、制絨與清洗處理，然后進行退火處理。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟(4)中，對硅片上的通孔進行防短路處理是以掩模方式實現的，向通孔中填入導電材料是通過絲網印刷或者點膠的方式實現的。

9.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，步驟(5)中所述的細柵電極和主柵電極是銀漿電極，通過絲網印刷方式布置在透明導電膜層上。