[發明專利]芯片級封裝多面發光LED及其封裝方法、背光模組

在審

• 申請號: 201711311485.6
• 申請日: 2017-12-11
• 公開（公告）號: CN109904301A
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發明（設計）人: 魏冬寒;孫平如;邢其彬
• 申請（專利權）人: 深圳市聚飛光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54;H01L33/50;H01L33/60;F21S8/00;F21V19/00
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 江婷

1.一種芯片級封裝多面發光LED的封裝方法，其特征在于，包括步驟：

S1、將發光轉換膠設置包覆在LED芯片的正面出光面和側面出光面；

S2、在預設第一固化條件下對所述發光轉換膠進行固化處理得到第一狀態的發光轉換膠層；

S3、在所述LED芯片正面出光面上處于所述第一狀態的發光轉換膠層上設置反射膠；

S4、在預設第二固化條件下對所述第一狀態的發光轉換膠層以及所述反射膠進行固化處理，得到處于第二狀態的發光轉換膠層和反射膠層。

2.如權利要求1所述的芯片級封裝多面發光LED的封裝方法，其特征在于，在所述步驟S1之前，還包括：

S11、將所述LED芯片按設定間隔排列在耐高溫膜上；

在所述步驟S4之后，還包括步驟：

S41、沿相鄰LED芯片之間的間隔進行等距切割；

S42、去除所述LED芯片上的所述耐高溫膜。

3.如權利要求1所述的芯片級封裝多面發光LED的封裝方法，其特征在于，所述得到處于第二狀態的發光轉換膠層和反射膠層之后，還包括步驟：

按照設定圖案對反射膠層進行切割得到開窗結構，使得所述LED芯片正面出光面發出的部分光透過所述開窗結構向外發射。

4.如權利要求3所述的芯片級封裝多面發光LED的封裝方法，其特征在于，對所述反射膠層切割的厚度小于或等于所述反射膠層的厚度。

5.如權利要求1-4任一項所述的多面發光LED封裝方法，其特征在于，所述第一狀態為未完全固化狀態，所述第一固化條件包括：

烘烤溫度為60℃至120℃，烘烤時間為10分鐘至60分鐘。

6.如權利要求1-4任一項所述的芯片級封裝多面發光LED的封裝方法，其特征在于，所述第二狀態為完全固化狀態，所述第二固化條件包括：

烘烤溫度為130℃至170℃，烘烤時間為80分鐘至240分鐘。

7.一種芯片級封裝多面發光LED，其特征在于，包括LED芯片，設置在所述LED芯片正面出光面和側面出光面上的發光轉換膠層，以及設置在所述LED芯片正面出光面上的發光轉換膠層之上的反射膠層，所述LED芯片正面出光面發出的至少部分光通過所述發光轉換膠層之后被所述反射膠層反射回所述發光轉換膠層，并從所述LED芯片側面出光面的發光轉換膠層發射出去。

8.如權利要求7所述的芯片級封裝多面發光LED，其特征在于，所述反射膠層之上還設有開窗結構，所述LED芯片正面出光面發出的部分光透過所述開窗結構向外發射。

9.如權利要求7或8所述的芯片級封裝多面發光LED，其特征在于，所述反射膠層為包含白色顆粒的硅樹脂層。

10.一種背光模組，其特征在于，包括導光板和設置于所述導光板側面的LED組件，所述LED組件由如權利要求7-9任一項所述的多面發光LED組成。