[發(fā)明專利]顯示面板、像素隔離墻及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711311091.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108091580B | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王輝鋒;甘靜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司: | 11348 北京鼎佳達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 王偉鋒;劉鐵生 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素隔離 親液層 疏液層 電極基板 顯示面板 制備 平板顯示技術(shù) 亞像素單元 有機(jī)功能層 隔離層 成膜 疏液 隔離 | ||
本發(fā)明公開了一種顯示面板、像素隔離墻及其制備方法,涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域,主要目的是用于提高像素隔離墻之間的有機(jī)功能層的成膜質(zhì)量。本發(fā)明的主要技術(shù)方案為:一種像素隔離墻,包括:親液層,用于設(shè)置在電極基板上;第一疏液層,設(shè)置于所述親液層遠(yuǎn)離所述電極基板的一側(cè),其中,所述第一疏液層的材料為磁性疏液材料;隔離層,設(shè)置于所述第一疏液層遠(yuǎn)離所述親液層的一側(cè)。本發(fā)明主要用于隔離亞像素單元。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示面板、像素隔離墻及其制備方法。
背景技術(shù)
OLED顯示技術(shù)相對(duì)于LCD顯示技術(shù)而言,具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、色彩艷等優(yōu)點(diǎn),是顯示技術(shù)的重要發(fā)展方向之一。
在OLED器件的制備過程中,OLED的成膜方式主要有蒸鍍制程和溶液制程兩種,其中,溶液制程中的噴墨打印技術(shù)由于其利用率較高、可實(shí)現(xiàn)大尺寸化,而被廣泛的應(yīng)用,具體的,噴墨打印技術(shù)主要是將墨滴準(zhǔn)確的滴入到指定的亞像素凹槽內(nèi),使其在亞像素凹槽內(nèi)形成用于發(fā)光的有機(jī)功能層,而圍成亞像素凹槽的像素隔離墻主要是由親液材質(zhì)制成,在墨液的干燥過程中,墨液形成的有機(jī)功能層會(huì)沿像素隔離墻的側(cè)壁攀爬一定的高度,嚴(yán)重影響成膜質(zhì)量,其中,攀爬的高度越高,其成膜質(zhì)量越差。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板、像素隔離墻及其制備方法,主要目的是用于提高像素隔離墻之間的有機(jī)功能層的成膜質(zhì)量。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明主要提供如下技術(shù)方案:
一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素隔離墻,包括:
親液層,用于設(shè)置在電極基板上;
第一疏液層,設(shè)置于所述親液層遠(yuǎn)離所述電極基板的一側(cè),其中,所述第一疏液層的材料為磁性疏液材料;
隔離層,設(shè)置于所述第一疏液層遠(yuǎn)離所述親液層的一側(cè)。
可選地,所述第一疏液層的材料為接枝有四氧化三鐵微球的氟樹脂。
可選地,所述隔離層的材料為親液材料。
可選地,所述的像素隔離墻,還包括:
第二疏液層,所述第二疏液層設(shè)置于所述隔離層遠(yuǎn)離所述第一疏液層的一側(cè)。
另一方面,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板,包括:
像素隔離層,所述像素隔離層包括多個(gè)所述的像素隔離墻。
另一方面,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種像素隔離墻的制備方法,用于含有親液材料和磁性疏液材料的光刻膠,包括:
將所述光刻膠在電極基板的一側(cè)形成光刻膠層;
通過磁場(chǎng)將所述光刻膠中的磁性疏液材料調(diào)節(jié)至所述光刻膠層的預(yù)設(shè)厚度位置處;
對(duì)調(diào)節(jié)后的所述光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影工藝,形成像素隔離墻。
可選地,所述通過磁場(chǎng)將所述光刻膠中的磁性疏液材料調(diào)節(jié)至所述光刻膠層的預(yù)設(shè)厚度位置處,還包括:
在所述光刻膠層進(jìn)行前烘的過程中,通過磁場(chǎng)將所述光刻膠中的磁性疏液材料調(diào)節(jié)至所述光刻膠層的預(yù)設(shè)厚度位置處。
可選地,所述通過磁場(chǎng)將所述光刻膠中的磁性疏液材料調(diào)節(jié)至所述光刻膠層的預(yù)設(shè)厚度位置處,還包括:
通過磁場(chǎng)將所述光刻膠層預(yù)設(shè)圖案區(qū)域內(nèi)光刻膠中的磁性疏液材料調(diào)節(jié)至所述光刻膠層的預(yù)設(shè)厚度位置處。
可選地,所述磁場(chǎng)由電磁磁板形成。
可選地,所述光刻膠層的高度為1um-5um。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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