[發明專利]顯示面板、像素隔離墻及其制備方法有效
| 申請號: | 201711311091.0 | 申請日: | 2017-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN108091580B | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發明(設計)人: | 王輝鋒;甘靜 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司: | 11348 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 王偉鋒;劉鐵生 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素隔離 親液層 疏液層 電極基板 顯示面板 制備 平板顯示技術 亞像素單元 有機功能層 隔離層 成膜 疏液 隔離 | ||
1.一種像素隔離墻,由光刻膠經過光刻工藝形成在電極基板上, 其特征在于,包括:
親液層,用于設置在電極基板上;
第一疏液層,設置于所述親液層遠離所述電極基板的一側,其中,所述第一疏液層的材料為磁性疏液材料;
隔離層,設置于所述第一疏液層遠離所述親液層的一側。
2.根據權利要求1所述的像素隔離墻,其特征在于,
所述第一疏液層的材料為接枝有四氧化三鐵微球的氟樹脂。
3.根據權利要求2所述的像素隔離墻,其特征在于,
所述隔離層的材料為親液材料。
4.根據權利要求1所述的像素隔離墻,其特征在于,還包括:
第二疏液層,所述第二疏液層設置于所述隔離層遠離所述第一疏液層的一側。
5.一種顯示面板,其特征在于,包括:
像素隔離層,所述像素隔離層包括多個如權利要求1至4中任一項所述的像素隔離墻。
6.一種像素隔離墻的制備方法,用于含有親液材料和磁性疏液材料的光刻膠,其特征在于,包括:
將所述光刻膠在電極基板的一側形成光刻膠層;
通過磁場將所述光刻膠中的磁性疏液材料調節至所述光刻膠層的預設厚度位置處;
對調節后的所述光刻膠層進行曝光、顯影工藝,形成像素隔離墻。
7.根據權利要求6所述的像素隔離墻的制備方法,其特征在于,
所述通過磁場將所述光刻膠中的磁性疏液材料調節至所述光刻膠層的預設厚度位置處,還包括:
在所述光刻膠層進行前烘的過程中,通過磁場將所述光刻膠中的磁性疏液材料調節至所述光刻膠層的預設厚度位置處。
8.根據權利要求6所述的像素隔離墻的制備方法,其特征在于,
所述通過磁場將所述光刻膠中的磁性疏液材料調節至所述光刻膠層的預設厚度位置處,還包括:
通過磁場將所述光刻膠層預設圖案區域內光刻膠中的磁性疏液材料調節至所述光刻膠層的預設厚度位置處。
9.根據權利要求6所述的像素隔離墻的制備方法,其特征在于,
所述磁場由電磁磁板形成。
10.根據權利要求6所述的像素隔離墻的制備方法,其特征在于,
所述光刻膠層的高度為1um-5um。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





