[發(fā)明專利]包括突起焊盤(pán)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711307949.6
• 申請(qǐng)日: 2017-12-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108231789A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金光洙;張世美
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/11582
• 分類號(hào): H01L27/11582;H01L27/1157
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

公開(kāi)了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可包括：襯底，其包括單元陣列區(qū)和接觸區(qū)；和堆疊結(jié)構(gòu)，其包括交替地堆疊在襯底上的多個(gè)絕緣層和多個(gè)柵電極。堆疊結(jié)構(gòu)在接觸區(qū)中可包括階梯式結(jié)構(gòu)。所述多個(gè)柵電極中的每一個(gè)可包括包含階梯式結(jié)構(gòu)中的階梯的對(duì)應(yīng)的焊盤(pán)單元。焊盤(pán)單元中的至少一個(gè)可包括基礎(chǔ)焊盤(pán)和基礎(chǔ)焊盤(pán)上的突起焊盤(pán)。突起焊盤(pán)可位于基礎(chǔ)焊盤(pán)的表面的垂直于對(duì)應(yīng)的柵電極的延伸方向的兩條邊之間并且與所述兩條邊間隔開(kāi)。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2016年12月9日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2016-0167935的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容以引用方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，并且更具體地說(shuō)，涉及包括階梯式結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。

背景技術(shù)

可提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的集成度以滿足消費(fèi)者對(duì)性能和價(jià)格的需求。就2D或平面半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置而言，由于主要通過(guò)單位存儲(chǔ)器單元占據(jù)的面積來(lái)確定集成度，因此集成度可極大地受到微圖案形成技術(shù)的水平的影響。

為了實(shí)現(xiàn)微圖案，可使用高價(jià)設(shè)備，并且作為結(jié)果，2D半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的集成度會(huì)受限。為了提高集成度，3D半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可包括按照3D排列的存儲(chǔ)器單元。

該背景技術(shù)部分中公開(kāi)的以上信息僅用于增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的背景的理解，因此，其可包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例可提供具有提高的可靠性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，提供了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可包括：襯底，其包括單元陣列區(qū)和接觸區(qū)；和堆疊結(jié)構(gòu)，其包括交替地堆疊在襯底上的多個(gè)絕緣層和多個(gè)柵電極。堆疊結(jié)構(gòu)在接觸區(qū)中可包括階梯式結(jié)構(gòu)。所述多個(gè)柵電極中的每一個(gè)可包括包含階梯式結(jié)構(gòu)中的階梯的對(duì)應(yīng)的焊盤(pán)單元。焊盤(pán)單元中的至少一個(gè)可包括基礎(chǔ)焊盤(pán)和基礎(chǔ)焊盤(pán)上的突起焊盤(pán)。突起焊盤(pán)可位于基礎(chǔ)焊盤(pán)的表面的與對(duì)應(yīng)的柵電極的延伸方向垂直的兩條邊之間并且與所述兩條邊間隔開(kāi)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，提供了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可包括：襯底，其包括單元陣列區(qū)和接觸區(qū)；和堆疊結(jié)構(gòu)，其包括交替地堆疊在襯底上的多個(gè)絕緣層和多個(gè)柵電極。堆疊結(jié)構(gòu)可包括接觸區(qū)中的階梯式結(jié)構(gòu)。所述多個(gè)柵電極中的每一個(gè)可包括包含階梯式結(jié)構(gòu)中的階梯的對(duì)應(yīng)的焊盤(pán)單元。焊盤(pán)單元中的至少一個(gè)可包括基礎(chǔ)焊盤(pán)和基礎(chǔ)焊盤(pán)上的突起焊盤(pán)。基礎(chǔ)焊盤(pán)的最上表面可包括與突起焊盤(pán)重疊的第一區(qū)和不與突起焊盤(pán)重疊的第二區(qū)。第一區(qū)和第二區(qū)可在柵電極的延伸方向上排列。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，提供了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可包括：襯底，其包括襯底的上表面中的單元陣列區(qū)和接觸區(qū)。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可包括在垂直于襯底的上表面的豎直方向上堆疊在襯底的上表面上的多個(gè)柵電極。所述多個(gè)柵電極可在平行于襯底的上表面的延伸方向上從單元陣列區(qū)延伸至接觸區(qū)，并且可包括接觸區(qū)中的按照階梯式結(jié)構(gòu)暴露出來(lái)的對(duì)應(yīng)的基礎(chǔ)焊盤(pán)區(qū)。所述基礎(chǔ)焊盤(pán)區(qū)可包括與對(duì)應(yīng)的柵電極的上表面共面的對(duì)應(yīng)的上表面。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可包括在豎直方向上從至少一個(gè)對(duì)應(yīng)的基礎(chǔ)焊盤(pán)區(qū)延伸的至少一個(gè)突起焊盤(pán)。所述至少一個(gè)突起焊盤(pán)的垂直于延伸方向的邊可在延伸方向上相對(duì)于所述至少一個(gè)對(duì)應(yīng)的基礎(chǔ)焊盤(pán)區(qū)的對(duì)應(yīng)的邊偏離，以暴露出所述至少一個(gè)對(duì)應(yīng)的基礎(chǔ)焊盤(pán)區(qū)的一部分。

根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可提高接觸區(qū)中的可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的平面圖的示意性構(gòu)造的框圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的框圖。

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的單元陣列的電路圖。