[發(fā)明專利]包括突起焊盤的半導體存儲器裝置

在審

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• 申請日: 2017-12-11
• 公開（公告）號: CN108231789A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設計）人: 金光洙;張世美
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L27/1157
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

1.一種半導體存儲器裝置，包括：

襯底，其包括單元陣列區(qū)和接觸區(qū)；和

堆疊結(jié)構(gòu)，其包括交替地堆疊在所述襯底上的多個絕緣層和多個柵電極，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括所述接觸區(qū)中的階梯式結(jié)構(gòu)，

其中，所述多個柵電極中的每一個包括包含所述階梯式結(jié)構(gòu)中的階梯的對應的焊盤單元，

其中，所述焊盤單元中的至少一個包括基礎焊盤和所述基礎焊盤上的突起焊盤，并且

其中，所述突起焊盤位于所述基礎焊盤的表面的垂直于對應的柵電極的延伸方向的兩條邊之間并且與所述兩條邊間隔開。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述突起焊盤接觸所述基礎焊盤的所述表面的面積小于所述基礎焊盤的所述表面的面積。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述突起焊盤包括位于所述基礎焊盤上的島形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述焊盤單元中的兩個鄰近的焊盤單元之間的最小距離大于位于所述兩個鄰近的焊盤單元之間的絕緣層的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述突起焊盤的側(cè)部在平行于所述柵電極的所述延伸方向的方向上與所述基礎焊盤的側(cè)部共面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述突起焊盤位于所述基礎焊盤的所述表面的平行于所述柵電極的所述延伸方向的兩條邊之間并且與所述兩條邊間隔開。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體存儲器裝置，其中，在所述階梯式結(jié)構(gòu)中，所述焊盤單元在所述柵電極的所述延伸方向上階梯式地傾斜，并且在垂直于所述柵電極的所述延伸方向的方向上階梯式地傾斜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述焊盤單元包括不包括所述突起焊盤的至少一個焊盤單元。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體存儲器裝置，其中，不包括所述突起焊盤的所述至少一個焊盤單元包括：不包括所述突起焊盤的所述焊盤單元中的鄰近于所述襯底的至少一個焊盤單元和不包括所述突起焊盤的所述焊盤單元中的鄰近于最上面的絕緣層的至少一個焊盤單元。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲器裝置，

其中，包括突起焊盤的所述焊盤單元中的至少一個包括鄰近于最上面的絕緣層的第一焊盤單元和鄰近于所述襯底的第二焊盤單元，并且

其中，鄰近于最上面的絕緣層的第一焊盤單元的突起焊盤的寬度大于鄰近于襯底的第二焊盤單元的突起焊盤的寬度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲器裝置，還包括所述接觸區(qū)中的所述焊盤單元上的輔助絕緣層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體存儲器裝置，其中，所述輔助絕緣層接觸所述基礎焊盤的所述表面和所述焊盤單元的側(cè)表面。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體存儲器裝置，其中，所述輔助絕緣層的最上表面和所述突起焊盤的最上表面彼此共面。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體存儲器裝置，其中，所述輔助絕緣層包括第一絕緣材料，并且所述多個絕緣層包括所述第一絕緣材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲器裝置，還包括位于所述焊盤單元中的每一個上的對應的連接線接觸插塞。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲器裝置，還包括穿過所述單元陣列區(qū)中的所述堆疊結(jié)構(gòu)的豎直圖案結(jié)構(gòu)。