[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及其制備方法

有效

• 申請號: 201711306248.0
• 申請日: 2017-12-08
• 公開（公告）號: CN108074863B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 崔承鎮
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 張雨竹

本發明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及其制備方法，涉及顯示技術領域，可改善由于工藝原因導致的產品設計余量減小的問題。一種陣列基板的制備方法，包括：在襯底上通過一次構圖工藝形成圖案形狀相同的半導體層和源漏金屬層，所述源漏金屬層在所述襯底上的正投影覆蓋所述半導體層在所述襯底上的正投影；所述源漏金屬層包括數據線和與所述數據線連接的金屬電極；在形成有所述半導體層和所述源漏金屬層的襯底上，通過一次構圖工藝至少形成第一透明電極，并形成溝道區，所述溝道區使所述金屬電極形成源極和漏極，所述源極與所述數據線連接。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及其制備方法。

背景技術

液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等優點，在顯示領域中占據了主導地位。

液晶顯示器中的液晶顯示面板包括陣列基板、對盒基板以為位于二者之間的液晶層。陣列基板作為液晶顯示器的核心，其制備工藝一直以來都都到廣泛關注。

發明內容

本發明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及其制備方法，可改善由于工藝原因導致的產品設計余量減小的問題。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

第一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括：在襯底上通過一次構圖工藝形成圖案形狀相同的半導體層和源漏金屬層，所述源漏金屬層在所述襯底上的正投影覆蓋所述半導體層在所述襯底上的正投影；所述源漏金屬層包括數據線和與所述數據線連接的金屬電極；在形成有所述半導體層和所述源漏金屬層的襯底上，通過一次構圖工藝至少形成第一透明電極，并形成溝道區，所述溝道區使所述金屬電極形成源極和漏極，所述源極與所述數據線連接。

優選的，在襯底上通過一次構圖工藝形成所述半導體層和所述源漏金屬層，包括：依次形成半導體薄膜、金屬薄膜，并形成第一光刻膠層；采用單色調掩膜板對所述第一光刻膠層進行曝光，顯影后對所述金屬薄膜進行刻蝕，形成所述源漏金屬層；對顯影后剩余的所述第一光刻膠層進行灰化，使剩余的所述第一光刻膠層的邊緣位于所述源漏金屬層的邊緣以內；對所述半導體薄膜進行干法刻蝕，形成所述半導體層。

優選的，在形成有所述半導體層和所述源漏金屬層的襯底上，通過一次構圖工藝形成第一透明電極，并形成溝道區，包括：在形成有所述半導體層和所述源漏金屬層的襯底上，形成透明導電薄膜，并形成第二光刻膠層；采用半色調或灰色調掩膜板對所述第二光刻膠層進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；所述光刻膠完全保留部分與待形成的所述第一透明電極對應，所述光刻膠半保留部分與所述數據線、待形成的所述源極和所述漏極對應，所述光刻膠完全去除部分與其他區域對應；對所述透明導電薄膜和所述源漏金屬層進行刻蝕，形成所述第一透明電極、所述溝道區，同時形成位于所述數據線、所述源極和所述漏極上方的透明電極保留圖案；采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分；對所述透明電極保留圖案進行刻蝕，以去除所述透明電極保留圖案；去除所述光刻膠完全保留部分。

進一步可選的，所述半導體層包括a-si層和n⁺a-si層；采用刻蝕工藝對所述透明電極保留圖案進行刻蝕之后，去除所述光刻膠完全保留部分之前，所述方法還包括：對n⁺a-si層進行刻蝕，形成歐姆接觸層。

優選的，所述源漏金屬層的材料包括Cu。

優選的，在形成有所述第一透明電極的襯底上，形成鈍化層和第二透明電極；其中，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極，所述第一透明電極與所述漏極連接；所述第二透明電極覆蓋所述數據線；或者，所述第一透明電極為公共電極，所述第二透明電極為像素電極，所述第二透明電極通過過孔與所述漏極連接；所述方法還包括形成與所述第二透明電極同層且絕緣的保留圖案，所述保留圖案覆蓋所述數據線。