[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及其制備方法

有效

• 申請號: 201711306248.0
• 申請日: 2017-12-08
• 公開（公告）號: CN108074863B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 崔承鎮
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 張雨竹

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上依次形成半導體薄膜、金屬薄膜，并形成第一光刻膠層；

采用單色調掩膜板對所述第一光刻膠層進行曝光，顯影后對所述金屬薄膜進行刻蝕，形成源漏金屬層；對顯影后剩余的所述第一光刻膠層進行灰化，使剩余的所述第一光刻膠層的邊緣位于所述源漏金屬層的邊緣以內；

對所述半導體薄膜進行干法刻蝕，形成半導體層，使得所述源漏金屬層在所述襯底上的正投影覆蓋所述半導體層在所述襯底上的正投影；所述源漏金屬層包括數據線和與所述數據線連接的金屬電極；所述源漏金屬層的材料包括Cu；

在形成有所述半導體層和所述源漏金屬層的襯底上，形成未進行圖案化的透明導電薄膜，并在所述透明導電薄膜上形成第二光刻膠層；

采用半色調或灰色調掩膜板對所述第二光刻膠層進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；

所述光刻膠完全保留部分與待形成的第一透明電極對應，所述第一透明電極為像素電極；

所述光刻膠半保留部分與所述數據線、待形成的源極和漏極對應；

所述光刻膠完全去除部分與其他區域對應，所述其他區域至少包括待形成的所述源極和所述漏極之間的區域，所述待形成的所述源極和所述漏極之間的區域位于所述半導體層上方；

對所述透明導電薄膜和所述源漏金屬層進行刻蝕，在光刻膠完全保留部分形成作為所述像素電極的所述第一透明電極、去除位于所述光刻膠完全去除部分對應的區域的透明導電薄膜，所述去除的透明導電薄膜包括所述源極和所述漏極之間的區域的上方區域，去除所述源極和所述漏極之間的區域露出下方的半導體層，同時保留光刻膠半保留部分對應的所述數據線、所述源極和所述漏極上方的透明電極保留圖案；

采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠；

對所述透明電極保留圖案進行刻蝕，以去除所述數據線、所述源極和所述漏極上方的透明電極保留圖案；

去除所述光刻膠完全保留部分，保留所述像素電極。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述半導體層包括a-si層和n+a-si層；

采用刻蝕工藝對所述透明電極保留圖案進行刻蝕之后，去除所述光刻膠完全保留部分之前，所述方法還包括：對n+a-si層進行刻蝕，形成歐姆接觸層。

3.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括：通過權利要求1-2任一項所述陣列基板的制備方法形成陣列基板。

4.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為利用權利要求1所述的陣列基板的制備方法所制備的陣列基板，包括：襯底、設置于所述襯底上的半導體層、源極、漏極、數據線、第一透明電極、鈍化層和第二透明電極；

所述源極在所述襯底上的正投影覆蓋所述半導體層與所述源極對應的部分在所述襯底上的正投影，所述漏極在所述襯底上的正投影覆蓋所述半導體層與所述漏極對應的部分在所述襯底上的正投影，所述數據線在所述襯底上的正投影覆蓋所述半導體層與所述數據線對應的部分在所述襯底上的正投影；

其中，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極，所述第一透明電極與所述漏極連接；所述第二透明電極覆蓋所述數據線。

5.一種顯示面板，包括權利要求4所述的陣列基板。